参数资料
| 型号： | W631GG6KB-12 |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 2/159页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR3 SDRAM 1GBIT 96WBGA |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR3 SDRAM |
| 存储容量： | 1G（64M x 16） |
| 速度： | 800MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 96-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 96-WBGA（9x13） |
| 包装： | 托盘 |
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W631GG6KB
8.7
DLL on/off switching procedure ........................................................................................................... 26
8.7.1
8.7.2
DLL ―on‖ to DLL ―off‖ Procedure ....................................................................................... 26
DLL ―off‖ to DLL ―on‖ Procedure ....................................................................................... 27
8.8
Input clock frequency change.............................................................................................................. 28
8.8.1
8.8.2
Frequency change during Self-Refresh............................................................................ 28
Frequency change during Precharge Power-down .......................................................... 28
8.9
Write Leveling ..................................................................................................................................... 30
8.9.1
8.9.2
8.9.3
DRAM setting for write leveling & DRAM termination function in that mode .................... 31
Write Leveling Procedure ................................................................................................. 31
Write Leveling Mode Exit ................................................................................................. 33
8.10
Multi Purpose Register ........................................................................................................................ 34
8.10.1
8.10.2
8.10.3
8.10.4
MPR Functional Description ............................................................................................. 35
MPR Register Address Definition ..................................................................................... 36
Relevant Timing Parameters ............................................................................................ 36
Protocol Example ............................................................................................................. 36
8.11
8.12
8.13
ACTIVE Command.............................................................................................................................. 42
PRECHARGE Command .................................................................................................................... 42
READ Operation ................................................................................................................................. 43
8.13.1
8.13.2
8.13.2.1
8.13.2.2
8.13.2.3
8.13.2.4
8.13.2.5
8.13.2.6
READ Burst Operation ..................................................................................................... 43
READ Timing Definitions .................................................................................................. 44
READ Timing; Clock to Data Strobe relationship.................................................... 45
READ Timing; Data Strobe to Data relationship ..................................................... 46
tLZ(DQS), tLZ(DQ), tHZ(DQS), tHZ(DQ) Calculation ............................................. 47
tRPRE Calculation .................................................................................................. 48
tRPST Calculation .................................................................................................. 48
Burst Read Operation followed by a Precharge...................................................... 54
8.14
WRITE Operation ................................................................................................................................ 56
8.14.1
8.14.2
8.14.2.1
8.14.2.2
8.14.2.3
8.14.2.4
8.14.3
8.14.4
8.14.5
DDR3 Burst Operation ..................................................................................................... 56
WRITE Timing Violations ................................................................................................. 56
Motivation ............................................................................................................... 56
Data Setup and Hold Violations .............................................................................. 56
Strobe to Strobe and Strobe to Clock Violations..................................................... 56
Write Timing Parameters ........................................................................................ 56
Write Data Mask............................................................................................................... 57
tWPRE Calculation........................................................................................................... 58
tWPST Calculation ........................................................................................................... 58
8.15
8.16
8.17
Refresh Command .............................................................................................................................. 65
Self-Refresh Operation ....................................................................................................................... 67
Power-Down Modes ............................................................................................................................ 69
8.17.1
8.17.2
8.17.3
Power-Down Entry and Exit ............................................................................................. 69
Power-Down clarifications - Case 1 ................................................................................. 75
Power-Down clarifications - Case 2 ................................................................................. 75
Publication Release Date: Dec. 09, 2013
Revision A05
-2-
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