参数资料
型号: W631GG6KB-12
厂商: Winbond Electronics
文件页数: 136/159页
文件大小: 0K
描述: IC DDR3 SDRAM 1GBIT 96WBGA
标准包装: 200
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: DDR3 SDRAM
存储容量: 1G(64M x 16)
速度: 800MHz
接口: 并联
电源电压: 1.425 V ~ 1.575 V
工作温度: 0°C ~ 85°C
封装/外壳: 96-TFBGA
供应商设备封装: 96-WBGA(9x13)
包装: 托盘
W631GG6KB
10.15.3 DDR3-1866 Speed Bin and Operating Condition s
Speed Bin
DDR3-1866
CL-nRCD-nRP
Part Number Extension
13-13-13
-11
UNIT
NOTES
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Maximum operating frequency using maximum
allowed settings for Sup_CL and Sup_CWL
Internal read command to first data
ACT to internal read or write delay time
PRE command period
ACT to ACT or REF command period
ACT to PRE command period
f CKMAX
t AA
t RCD
t RP
t RC
t RAS
?
13.91
13.91
13.91
47.91
34
933
20
?
?
?
9 * t REFI
MHz
nS
nS
nS
nS
nS
CL = 6
CWL = 5
CWL = 6, 7, 8, 9
t CK(AVG)
t CK(AVG)
2.5
Reserved
3.3
nS
nS
1,2,3,4,8
5
CWL = 5
t CK(AVG)
Reserved
nS
5
CL = 8
CWL = 6
t CK(AVG)
1.875
<2.5
nS
1,2,3,4,8
CWL = 7, 8, 9
CWL = 5, 6
t CK(AVG)
t CK(AVG)
Reserved
Reserved
nS
nS
5
5
CL =10
CWL = 7
CWL = 8, 9
t CK(AVG)
t CK(AVG)
1.5
<1.875
Reserved
nS
nS
1,2,3,4,8
5
CL =13
CWL = 5, 6, 7, 8
CWL = 9
t CK(AVG)
t CK(AVG)
Reserved
1.07 <1.25
nS
nS
5
1,2,3,4,8
Supported CL Settings
Supported CWL Settings
Sup_CL
Sup_CWL
6, 8, 10, 13
5, 6, 7, 9
nCK
nCK
Publication Release Date: Dec. 09, 2013
Revision A05
- 136 -
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