参数资料
| 型号： | W631GG6KB-12 |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 123/159页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR3 SDRAM 1GBIT 96WBGA |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR3 SDRAM |
| 存储容量： | 1G（64M x 16） |
| 速度： | 800MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 96-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 96-WBGA（9x13） |
| 包装： | 托盘 |
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W631GG6KB
(optional)
I DD
V DD
RESET#
CK/CK#
CKE
DDR3
SDRAM
I DDQ
V DDQ
R TT = 25 Ω
CS#
RAS#, CAS#, WE#
A, BA
ODT
ZQ
V SS
DQS, DQS#, DQ, DM
V SSQ
V DDQ / 2
NOTE: DIMM level Output test load condition may be different from above.
Figure 105 – Measurement Setup and Test Load for I DD and I DDQ (optional) Measurements
Application specific
memory channel
environment
I DDQ Test Load
Channel IO
Power
simulation
I DDQ
Simulation
I DDQ
Measurement
Correlation
Correlation
Channel IO Power
Number
Figure 106 – Correlation from simulated Channel IO Power to actual Channel IO Power
supported by I DDQ Measurement
Publication Release Date: Dec. 09, 2013
Revision A05
- 123 -
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参数描述 |
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