参数资料
| 型号： | W631GG6KB-12 |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 85/159页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR3 SDRAM 1GBIT 96WBGA |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR3 SDRAM |
| 存储容量： | 1G（64M x 16） |
| 速度： | 800MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 96-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 96-WBGA（9x13） |
| 包装： | 托盘 |
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W631GG6KB
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
T11
T12
T13
T14
T15
T16
T17
CK#
CK
NOP
NOP
NOP
NOP
WRS4
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
Address
ODTH4
VALID
ODTLoff
ODTH4
ODT
ODTLon
ODTLcwn4
RTT
t AONmin
Rtt_Nom
t ADCmin
Rtt_WR
t ADCmin
Rtt_Nom
t AOFmin
t AONmax
ODTLcnw
t ADCmax
t ADCmax
t AOFmax
DQS, DQS#
DQ
WL
Din
b
Din
b+1
Din
b+2
Din
b+3
NOTES:
Example for BC4 (via MRS or OTF), AL = 0, CWL = 5. ODTH4 applies to first registering ODT high and to the registration of the Write command.
TRANSITIONING
DON'T CARE
In this example, ODTH4 would be satisfied if ODT went low at T8 (4 clocks after the Write command).
Figure 77 – Dynamic ODT: Behavior with ODT being asserted before and after the write
Publication Release Date: Dec. 09, 2013
Revision A05
- 85 -
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