参数资料
| 型号： | W631GG6KB-12 |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 34/159页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR3 SDRAM 1GBIT 96WBGA |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR3 SDRAM |
| 存储容量： | 1G（64M x 16） |
| 速度： | 800MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 96-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 96-WBGA（9x13） |
| 包装： | 托盘 |
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W631GG6KB
8.10 Multi Purpose Register
The Multi Purpose Register (MPR) function is used to Read out a predefined system timing calibration
bit sequence. The basic concept of the MPR is shown in Figure 16.
Memory Core
(all banks precharged)
MR3 [A2]
Multipurpose register
Pre-defined data for Reads
DQ, DM, DQS, DQS#
Figure 16 – MPR Block Diagram
To enable the MPR, a Mode Register Set (MRS) command must be issued to MR3 Register with bit
A2 = 1, as shown in Table 5. Prior to issuing the MRS command, all banks must be in the idle state (all
banks precharged and t RP met). Once the MPR is enabled, any subsequent RD or RDA commands
will be redirected to the Multi Purpose Register. The resulting operation, when a RD or RDA command
is issued, is defined by MR3 bits A[1:0] when the MPR is enabled as shown in Table 6. When the
MPR is enabled, only RD or RDA commands are allowed until a subsequent MRS command is issued
with the MPR disabled (MR3 bit A2 = 0). Note that in MPR mode RDA has the same functionality as a
READ command which means the auto precharge part of RDA is ignored. Power-Down mode, Self-
Refresh, and any other non-RD/RDA command is not allowed during MPR enable mode. The RESET
function is supported during MPR enable mode.
Table 5 – MPR Functional Description of MR3 Bits
MR3 A[2]
MPR
0b
1b
MR3 A[1:0]
MPR-Loc
don't care
(0b or 1b)
See Table 6
Function
Normal operation, no MPR transaction
All subsequent Reads will come from DRAM array
All subsequent Write will go to DRAM array
Enable MPR mode, subsequent RD/RDA commands defined by MR3 A[1:0]
Publication Release Date: Dec. 09, 2013
Revision A05
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