- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录296802 > PH28F128W18BD60A (INTEL CORP) 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 60 ns, PBGA56 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | PH28F128W18BD60A |
| 厂商： | INTEL CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 60 ns, PBGA56 |
| 封装： | 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, VFBGA-56 |
| 文件页数： | 25/106页 |
| 文件大小： | 1496K |
| 代理商： | PH28F128W18BD60A |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页当前第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页
Intel
Wireless Flash Memory (W18)
Datasheet
Intel Wireless Flash Memory (W18)
07-Dec-2005
Order Number: 290701, Revision: 015
25
5.2
Operating Conditions
Warning:
Operation beyond the “Operating Conditions” is not recommended, and extended exposure beyond
the “Operating Conditions” may affect device reliability.
Table 8.
Extended Temperature Operation
Symbol
Parameter1
Min
Nom
Max
Unit
Note
TA
Operating Temperature
–40
25
85
°C
VCC Supply Voltage
1.7
1.8
1.95
V
I/O Supply Voltage (90 nm)
1.7
1.8
1.95
3
I/O Supply Voltage (130 nm)
1.70
1.8
2.24
Extended I/O Supply Voltage (130 nm)
1.35
1.5
1.8
VPP1
VPP Voltage Supply (Logic Level)
0.90
1.80
1.95
Programming VPP
11.4
12.0
12.6
tPPH
Maximum VPP Hours
VPP = 12 V
-
80
Hours
Block
Erase
Cycles
Main and Parameter Blocks
VPP ≤ VCC
100,000
-
Cycles
Main Blocks
VPP = 12 V
-
1000
Parameter Blocks
VPP = 12 V
-
2500
Notes:
1.
See Section 6.1, “DC Current Characteristics” on page 26 and Section 6.2, “DC Voltage Characteristics” on page 28 for
specific voltage-range specifications.
2.
VPP is normally VPP1. VPP can be connected to 11.4 V–12.6 V for 1000 cycles on main blocks at extended
temperatures and 2500 cycles on parameter blocks at extended temperatures.
3.
Contact your Intel field representative for VCC/VCCQ operations down to 1.65 V.
4.
See the tables in Section 5.0, “Maximum Ratings and Operating Conditions” on page 24 and in Section 7.0, “AC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHC0683E1133-H | IC SOCKET |
| PHP12NQ15T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHB12NQ15T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHD12NQ15T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHP15N06E | PowerMOS transistor |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| PH28F160C3BD70A | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:MM#865392FLASH 28F160C3BD 70 VF-PBGA46 C |
| PH28F256L18B85 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:StrataFlash Wireless Memory |
| PH28F256L18B85A | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:MM#875138FLASH 28F256L18B 85 VF-PBGA79 S |
| PH28F256L18T85 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:StrataFlash Wireless Memory |
| PH28F320C3TD70A | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 32M-Bit 2M x 16 70ns 48-Pin VFBGA Tray 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:MM#869664FLASH 28F320C3TD 70 VF-PBGA47 E |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。