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参数资料
| 型号： | PH28F128W18BD60A |
| 厂商： | INTEL CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 60 ns, PBGA56 |
| 封装： | 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, VFBGA-56 |
| 文件页数： | 3/106页 |
| 文件大小： | 1496K |
| 代理商： | PH28F128W18BD60A |
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Intel
Wireless Flash Memory (W18)
07-Dec-2005
Intel Wireless Flash Memory (W18)
Datasheet
100
Order Number: 290701, Revision: 015
B.5
Device Geometry Definition
Table 40.
Device Geometry Definition
Offset
Length
Description
Code
27h
1
“n” such that device size = 2
n
in number of bytes
27:
See table below
7654321
0
28h
2
————
x64
x32
x16
x8
28:
--01
x16
15
14
13
12
11
10
9
8
———————
—
29:
--00
2Ah
2
“n” such that maximum number of bytes in write buffer = 2
n
2A:
--00
0
2B:
--00
2Ch
1
2C:
2Dh
4
Erase Block Region 1 Information
2D:
bits 0–15 = y, y+1 = number of identical-size erase blocks
2E:
bits 16–31 = z, region erase block(s) size are z x 256 bytes
2F:
30:
31h
4
Erase Block Region 2 Information
31:
bits 0–15 = y, y+1 = number of identical-size erase blocks
32:
bits 16–31 = z, region erase block(s) size are z x 256 bytes
33:
34:
35h
4
Reserved for future erase block region information
35:
36:
37:
38:
See table below
Number of erase block regions (x) within device:
1. x = 0 means no erase blocking; the device erases in bulk
2. x specifies the number of device regions with one or
more contiguous same-size erase blocks.
3. Symmetrically blocked partitions have one blocking region
Flash device interface code assignment:
"n" such that n+1 specifies the bit field that represents the flash
device width capabilities as described in the table:
Address
32 Mbit
–B
–T
–B
–T
–B
–T
27:
--16
--17
--18
28:
--01
29:
--00
2A:
--00
2B:
--00
2C:
--02
2D:
--07
--3E
--07
--7E
--07
--FE
2E:
--00
2F:
--20
--00
--20
--00
--20
--00
30:
--00
--01
--00
--01
--00
--01
31:
--3E
--07
--7E
--07
--FE
--07
32:
--00
33:
--00
--20
--00
--20
--00
--20
34:
--01
--00
--01
--00
--01
--00
35:
--00
36:
--00
37:
--00
38:
--00
64 Mbit
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