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参数资料
| 型号： | PH28F128W18BD60A |
| 厂商： | INTEL CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 60 ns, PBGA56 |
| 封装： | 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, VFBGA-56 |
| 文件页数： | 28/106页 |
| 文件大小： | 1496K |
| 代理商： | PH28F128W18BD60A |
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Intel
Wireless Flash Memory (W18)
07-Dec-2005
Intel Wireless Flash Memory (W18)
Datasheet
28
Order Number: 290701, Revision: 015
6.2
DC Voltage Characteristics
Table 10.
DC Voltage Characteristics
Symbol
Parameter
VCCQ= 1.35 V –
1.8 V (1)
VCCQ= 1.8 V
Unit
Test Condition
Note
32/64/128-Mbit
32/64-Mbit
128-Mbit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
VIL
Input Low
0
0.2
0
0.4
0
0.4
V
2
VIH
Input High
VCCQ
– 0.2
VCCQ
– 0.4
VCCQ
– 0.4
VCCQ
V2
VOL
Output Low
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
VCC = VCCMin
VCCQ = VCCQMin
IOL = 100 A
VOH
Output High
VCCQ
– 0.1
-
VCCQ
– 0.1
-
VCCQ
– 0.1
-V
VCC = VCCMin
VCCQ = VCCQMin
IOH = –100 A
VPPLK
VPP Lock-Out
-
0.4
-
0.4
-
0.4
V
3
VLKO
VCC Lock
(130nm)
1.0
-
1.0
-
1.0
-
V
4
VCC Lock
(90nm)
0.7
-
0.7
-
V
VILKOQ
VCCQ Lock
TBD
-
0.9
-
0.9
-
V
Notes:
1.
VCCQ = 1.35 V - 1.8V is available on 130 nm devices only.
2.
VIL can undershoot to –1.0 V for durations of 2 ns or less and VIH can overshoot to VCCQ+1.0 V for durations of
2 ns or less.
3.
VPP <= VPPLK inhibits erase and program operations. Don’t use VPPL and VPPH outside their valid ranges.
4.
Block erases, programming and lock-bit configurations are inhibited when VCC<VLKO, and not guaranteed in the
range between VLKOMIN and VCCMIN, and above VCCMAX.
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