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参数资料
| 型号： | PH28F128W18BD60A |
| 厂商： | INTEL CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 60 ns, PBGA56 |
| 封装： | 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, VFBGA-56 |
| 文件页数： | 32/106页 |
| 文件大小： | 1496K |
| 代理商： | PH28F128W18BD60A |
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Intel
Wireless Flash Memory (W18)
Datasheet
Intel Wireless Flash Memory (W18)
07-Dec-2005
Order Number: 290701, Revision: 015
31
Table 12.
Read Operations - 130 nm Lithography (Sheet 1 of 2)
#
S
y
m
bol
Parameter (1,2)
VCCQ=
1.35 V – 1.8 V
VCCQ=
1.70 V – 2.24 V
Unit
Notes
-65
-85
-60
-80
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Asynchronous Specifications
R1
tAVAV
Read Cycle Time
65
-
85
-
60
-
80
-
ns
7,8
R2
tAVQV
Address to Output Valid
-
-
-
-
ns
7,8
R3
tELQV
CE# Low to Output Valid
-
-
-
-
ns
7,8
R4
tGLQV
OE# Low to Output Valid
-
25
-
30
-
20
-
25
ns
4
R5
tPHQV
RST# High to Output Valid
-
150
-
150
-
150
-
150
ns
R6
tELQX
CE# Low to Output Low-Z
0
-
0
-
0
ns
5
R7
tGLQX
OE# Low to Output Low-Z
0
-
0
-
0
-
ns
4,5
R8
tEHQZ
CE# High to Output High-Z
-
17
-
20
-
14
-
17
ns
5
R9
tGHQZ
OE# High to Output High-Z
-
14
-
14
-
14
-
14
ns
4,5
R10
tOH
CE# (OE#) High to Output Low-Z
0
-
0
-
0
-
ns
4,5
R11
tEHEL
CE# Pulse Width High
-
14
-
14
-
14
-
14
ns
6
R12
tELTV
CE# Low to WAIT Valid
-
14
-
20
-
11
-
14
ns
5,6
R13
tEHTZ
CE# High to WAIT High-Z
14
-
20
-
14
-
14
-
ns
6
Latching Specifications
R101
tAVVH
Address Setup to ADV# High
7
-
7
-
7
-
7
-
ns
R102
tELVH
CE# Low to ADV# High
10
-
10
-
10
-
10
-
ns
R103
tVLQV
ADV# Low to Output Valid
-
-
-
-
ns
7,8
R104
tVLVH
ADV# Pulse Width Low
7
-
7
-
7
-
7
-
ns
R105
tVHVL
ADV# Pulse Width High
7
-
7
-
7
-
7
-
ns
R106
tVHAX
Address Hold from ADV# High
7
-
7
-
7
-
7
-
ns
3
R108
tAPA
Page Address Access Time
-
25
-
30
-
20
-
25
ns
Clock Specifications
R200
fCLK
CLK Frequency
-
54
-
40
-
66
-
54
MHz
R201
tCLK
CLK Period
18.5
-
25
-
15
-
18.5
-
ns
R202
tCH/L
CLK High or Low Time
4.5
-
9.5
-
3.5
-
4.5
-
ns
R203
tCHCL
CLK Fall or Rise Time
-
3
-3
ns
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PDF描述 |
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