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参数资料
| 型号： | PH28F128W18BD60A |
| 厂商： | INTEL CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 60 ns, PBGA56 |
| 封装： | 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, VFBGA-56 |
| 文件页数： | 62/106页 |
| 文件大小： | 1496K |
| 代理商： | PH28F128W18BD60A |
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Intel
Wireless Flash Memory (W18)
Datasheet
Intel Wireless Flash Memory (W18)
07-Dec-2005
Order Number: 290701, Revision: 015
59
9.3
Command Sequencing
When issuing a 2-cycle write sequence to the flash device, a read operation is allowed to occur
between
the two write cycles. The setup phase of a 2-cycle write sequence places the addressed
partition into read-status mode, so if the same partition is read before the second “confirm” write
cycle is issued, Status Register data will be returned. Reads from other partitions, however, can
return actual array data assuming the addressed partition is already in read-array mode. Figure 23
and Figure 24 illustrate these two conditions.
By contrast, a write bus cycle may not interrupt a 2-cycle write sequence. Doing so causes a
command sequence error to appear in the Status Register. Figure 25 illustrates a command
sequence error.
Figure 23.
Normal Write and Read Cycles
Figure 24.
Interleaving a 2-Cycle Write Sequence with an Array Read
Partition A
20h
D0h
FFh
Block Erase Setup
Block Erase Conf irm
Read Array
Address [A]
WE# [W]
OE# [G]
Data [Q]
Partition B
Partition A
Partition B
Partition A
FFh
20h
Array Data
D0h
Read Array
Erase Set up
Bus Read
Erase Conf irm
Address [A]
WE# [W]
OE# [G]
Data [Q]
Figure 25.
Improper Command Sequencing
Partiti on X
Partiti o n Y
Parti tion X
20h
FFh
D0h
SR Data
Address [A]
WE# [W]
OE# [G]
Data [D/Q]
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| PH28F256L18B85A | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:MM#875138FLASH 28F256L18B 85 VF-PBGA79 S |
| PH28F256L18T85 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:StrataFlash Wireless Memory |
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