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参数资料
型号： PH28F128W18BD60A
厂商： INTEL CORP
元件分类： PROM
英文描述： 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 60 ns, PBGA56
封装： 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, VFBGA-56
文件页数： 44/106页
文件大小： 1496K
代理商： PH28F128W18BD60A
Intel
Wireless Flash Memory (W18)
07-Dec-2005
Intel Wireless Flash Memory (W18)
Datasheet
42
Order Number: 290701, Revision: 015
Table 14.
AC Write Characteristics - 130 nm Lithography
#
Sym
Parameter
(1,2)
VCCQ =
1.35 V – 1.8 V
VCCQ =
1.70 V – 2.24 V
Unit
Notes
-65
-85
-60
-80
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
W1
tPHWL (tPHEL)
RST# High Recovery to WE#
(CE#) Low
150
-
150
-
150
-
150
-
ns
3
W2
tELWL (tWLEL)
CE# (WE#) Setup to WE# (CE#)
Low
0-
0
-
0-
ns
W3
tWLWH (tELEH)
WE# (CE#) Write Pulse Width
Low
50
-
60
-
40
-
60
-
ns
4
W4
tDVWH (tDVEH) Data Setup to WE# (CE#) High
50
-
60
-
40
-
60
-
ns
W5
tAVWH (tAVEH)
Address Setup to WE# (CE#)
High
50
-
60
-
40
-
60
-
ns
W6
tWHEH
(tEHWH)
CE# (WE#) Hold from WE#
(CE#) High
0-
0
-
0-
ns
W7
tWHDX (tEHDX) Data Hold from WE# (CE#) High
0
-
0
-
0
-
0
-
ns
W8
tWHAX (tEHAX)
Address Hold from WE# (CE#)
High
0-
0
-
0-
ns
W9
tWHWL (tEHEL) WE# (CE#) Pulse Width High
20
-
25
-
20
-
25
-
ns
5,6,7
W10
tVPWH (tVPEH) VPP Setup to WE# (CE#) High
200
-
200
-
200
-
200
-
ns
3
W11
tQVVL
VPP Hold from Valid SRD
0
-
0
-
0
-
0
-
ns
3,8
W12
tQVBL
WP# Hold from Valid SRD
0
-0
-
ns
3,8
W13
tBHWH (tBHEH) WP# Setup to WE# (CE#) High
200
-
200
-
200
-
200
-
ns
3
W14
tWHGL (tEHGL) Write Recovery before Read
0-
0
-
0-
ns
W16
tWHQV
WE# High to Valid Data
t
AVQV
+ 25
-
t
AVQV
+ 55
-
t
AVQV
+20
-
t
AVQV
+50
-
ns
3,6,10
W18
tWHAV
WE# High to Address Valid
0
-0
-
ns
3,9,10
W19
tWHCV
WE# High to CLK Valid
16
-
20
-
12
-
20
-
ns
3,10
W20
tWHVH
WE# High to ADV# High
16
-
20
-
12
-
20
-
ns
3,10
Notes: For all numbered note references in this table, refer to the notes in Table 13, “AC Write Characteristics - 90 nm
Lithography” on page 41.
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