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参数资料
| 型号： | MT45W2MW16BBB-856WT |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 85 ns, PBGA54 |
| 封装： | 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-54 |
| 文件页数： | 19/56页 |
| 文件大小： | 709K |
| 代理商： | MT45W2MW16BBB-856WT |
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4 MEG x 16, 2 MEG x 16
ASYNC/PAGE/BURST CellularRAM MEMORY
09005aef80be1fbd pdf/09005aef80be2036 zip
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
Burst CellularRAM_2.fm - Rev. D 9/04 EN
26
2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
NOTE:
ITCR (MAX) values measured with PAR set to FULL ARRAY. Values shown are maximum across the full temperature range.
NOTE:
IPAR (MAX) values measured with TCR set to 85°C. IPAR might be slightly higher for up to 500ms after changes to the PAR
array partition.
Table 9:
Temperature Compensated Refresh Specifications and Conditions
DESCRIPTION
CONDITIONS
SYMBOL DENSITY
TCR SETTING
(RCR[6:5])
STANDARD
POWER
(NO DESIG.)
LOW-POWER
OPTION
(L)
UNITS
Temperature
Compensated
Refresh Standby
Current
VIN = VCCQ or 0V
CE# = VCCQ
ITCR
64Mb
+85°C
120
100
A
+70°C
105
85
A
+45°C
85
65
A
+15°C
70
50
A
32Mb
+85°C
110
90
A
+70°C
95
75
A
+45°C
80
60
A
+15°C
70
50
A
Table 10:
Partial Array Refresh Specifications and Conditions
DESCRIPTION
CONDITIONS
SYMBOL DENSITY
ARRAY PARTITION
STANDARD
POWER
(NO DESIG.)
LOW-POWER
OPTION
(L)
UNITS
Partial Array
Refresh Standby
Current
VIN = VCCQ or 0V,
CE# = VCCQ
IPAR
64Mb
Full
120
100
A
1/2
115
95
A
1/4
110
90
A
1/8
105
85
A
070
50
A
32Mb
Full
110
90
A
1/2
105
85
A
1/4
100
80
A
1/8
95
75
A
070
50
A
Table 11:
Deep Power-Down Specifications
DESCRIPTION
CONDITIONS
SYMBOL
TYP
UNITS
Deep Power-Down
VIN = VCCQ or 0V; +25°C
IZZ
10
A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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