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参数资料
| 型号： | MT45W2MW16BBB-856WT |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 85 ns, PBGA54 |
| 封装： | 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-54 |
| 文件页数： | 27/56页 |
| 文件大小： | 709K |
| 代理商： | MT45W2MW16BBB-856WT |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页当前第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页
4 MEG x 16, 2 MEG x 16
ASYNC/PAGE/BURST CellularRAM MEMORY
09005aef80be1fbd pdf/09005aef80be2036 zip
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
Burst CellularRAM_2.fm - Rev. D 9/04 EN
33
2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Figure 25: Asynchronous READ
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VOH
VOL
VIH
VIL
A[21:0]
ADV#
CE#
LB#/UB#
OE#
WE#
WAIT
DQ[15:0]
VALID ADDRESS
tAA
tHZ
tBA
High-Z
tRC
tCO
tBHZ
tOHZ
tHZ
tOE
tCEW
VALID OUTPUT
High-Z
UNDEFINED
DON’T CARE
tBLZ
tLZ
tOLZ
Table 19:
Asynchronous READ Timing Parameters
SYMBOL
-70x
-856
UNITS
SYMBOL
-70x
-856
UNITS
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
tAA
70
85
ns
tHZ
88
ns
tBA
70
85
ns
tLZ
10
ns
tBHZ
8
ns
tOE
20
ns
tBLZ
10
ns
tOHZ
8
ns
tCEW
1
7.5
1
7.5
ns
tOLZ
5
ns
tCO
70
85
ns
tRC
70
85
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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