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参数资料
| 型号： | MT45W2MW16BBB-856WT |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 85 ns, PBGA54 |
| 封装： | 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-54 |
| 文件页数： | 46/56页 |
| 文件大小： | 709K |
| 代理商： | MT45W2MW16BBB-856WT |
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4 MEG x 16, 2 MEG x 16
ASYNC/PAGE/BURST CellularRAM MEMORY
09005aef80be1fbd pdf/09005aef80be2036 zip
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
Burst CellularRAM_2.fm - Rev. D 9/04 EN
50
2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Figure 42: Burst READ Followed by Asynchronous WRITE (WE#-Controlled)
NOTE:
1. When configured for synchronous mode (BCR[15] = 0), a refresh opportunity must be provided every tCEM. A refresh opportunity is
satisfied by either of the following two conditions: a) clocked CE# HIGH, or b) CE# HIGH for greater than 15ns. Note that Cellular-
RAM Workgroup 1.0 specification requires CE# to be clocked HIGH to terminate the burst.
A[21:0]
VIH
VIL
ADV#
VIH
VIL
CE#
VIH
VIL
OE#
VIH
VIL
WE#
VIH
VIL
WAIT
DQ[15:0]
VOH
VOL
CLK
VIH
VIL
VOH
VOL
tSP
tCLK
tACLK
tCEW
tHD
tABA
tAW
tCW
tWR
VALID
OUTPUT
VALID
ADDRESS
High-Z
tKOH
tDW
tOHZ
tSP
tHD
LB#/UB#
VIH
VIL
tCSP
High-Z
tOLZ
tHD
tWP
tWPH
tAS
tDH
tHD
tBW
tSP
tHZ
tHD
tSP
UNDEFINED
DON’T CARE
READ Burst Identified
(WE# = HIGH)
tWC
tKHTL
tBOE
VALID
ADDRESS
VALID
INPUT
High-Z
tCEW
tHZ
tCBPH1
Table 39:
Burst READ Timing Parameters
SYMBOL
-701
-708
-706/-856
UNITS
SYMBOL
-701
-708
-706/-856
UNITS
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
tABA
35
46.5
56
ns
tHD
22
2
ns
tACLK
79
11
ns
tHZ
8
ns
tBOE
20
ns
tKHTL
79
11
ns
tCBPH
55
5
ns
tKOH
2
ns
tCEW
17.517.517.5
ns
tOHZ
8
ns
tCLK
9.62
20
12.5
20
15
20
ns
tSP
33
3
ns
tCSP
420
4.5
20
520
ns
Table 40:
Asynchronous WRITE Timing Parameters—WE# Controlled
SYMBOL
-70x
-856
UNITS
SYMBOL
-70x
-856
UNITS
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
tAS
00
ns
tHZ
88
ns
tAW
70
85
ns
tWC
70
85
ns
tBW
70
85
ns
tWP
46
55
ns
tCW
70
85
ns
tWPH
10
ns
tDH
00
ns
tWR
0
ns
tDW
23
ns
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PDF描述 |
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