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参数资料
| 型号： | MT45W2MW16BBB-856WT |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 85 ns, PBGA54 |
| 封装： | 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-54 |
| 文件页数： | 20/56页 |
| 文件大小： | 709K |
| 代理商： | MT45W2MW16BBB-856WT |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页当前第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页
4 MEG x 16, 2 MEG x 16
ASYNC/PAGE/BURST CellularRAM MEMORY
09005aef80be1fbd pdf/09005aef80be2036 zip
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
Burst CellularRAM_2.fm - Rev. D 9/04 EN
27
2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
NOTE:
1. These parameters are verified in device characterization and are not 100% tested.
Figure 22: AC Input/Output Reference Waveform
NOTE:
1. AC test inputs are driven at VCCQ for a logic 1 and VSS for a logic 0. Input rise and fall times (10% to 90%) < 1.6ns.
2. Input timing begins at VCC/2. Due to the possibility of a difference between VCC and VCCQ, the input test point may not
be shown to scale.
3. Output timing ends at VCCQ/2.
Figure 23: Output Load Circuit
NOTE:
All tests are performed with the outputs configured for
full drive strength (BCR[5] = 0).
Table 12:
Capacitance
DESCRIPTION
CONDITIONS
SYMBOL
MIN
MAX
UNITS
NOTES
Input Capacitance
TC = +25C; f = 1 MHz;
VIN = 0V
CIN
2.0
6
pF
1
Input/Output Capacitance (DQ)
CIO
3.5
6
pF
1
Output
Test Points
Input
1
VCCQ
VSS
VCCQ/2
3
VCC/2
2
DUT
VccQ
R1
R2
30pF
Test Point
Table 13:
Output Load Circuit
VCCQ
R1/R2
1.8V
2.7K
2.5V
3.7K
3.0V
4.5K
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