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参数资料
| 型号： | MT45W2MW16BBB-856WT |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 85 ns, PBGA54 |
| 封装： | 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-54 |
| 文件页数： | 33/56页 |
| 文件大小： | 709K |
| 代理商： | MT45W2MW16BBB-856WT |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页当前第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页
4 MEG x 16, 2 MEG x 16
ASYNC/PAGE/BURST CellularRAM MEMORY
09005aef80be1fbd pdf/09005aef80be2036 zip
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
Burst CellularRAM_2.fm - Rev. D 9/04 EN
39
2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Figure 31: READ Burst Suspend
NOTE:
1. Non-default BCR settings for READ burst suspend: Latency code two (three clocks); WAIT active LOW; WAIT asserted
during delay.
2. Clock rates below 50 MHz (tCLK > 20ns) are allowed as long as tCSP specifications are met.
A[21:0]
VIH
VIL
ADV#
VIH
VIL
CE#
VIH
VIL
OE#
VIH
VIL
WE#
VIH
VIL
WAIT
DQ[15:0]
VOH
VOL
CLK
VIH
VIL
VOH
VOL
tSP
tHD
High-Z
tOLZ
tACLK
LB#/UB#
VIH
VIL
tCLK
tSP
tHD
tCSP
tSP
tHD
tSP tHD
tKOH
VALID
OUTPUT
VALID
OUTPUT
UNDEFINED
DON’T CARE
VALID
ADDRESS
High-Z
tCBPH
tCEM
tHZ
tOHZ
VALID
OUTPUT
VALID
OUTPUT
VALID
OUTPUT
VALID
OUTPUT
tBOE
tOHZ
tBOE
tOLZ
VALID
ADDRESS
High-Z
Table 25:
Burst READ Timing Parameters—Burst Suspend
SYMBOL
-701
-708
-706/-856
UNITS
SYMBOL
-701
-708
-706/-856
UNITS
MIN MAX MIN MAX MIN MAX
tACLK
79
11
ns
tHD
22
2
ns
tBOE
20
ns
tHZ
8
ns
tCBPH
55
5
ns
tKOH
22
2
ns
tCEM
88
8
s
tOHZ
8
ns
tCLK
9.62
20
12.5
20
15
20
ns
tOLZ
5
ns
tCSP
420
4.5
20520
ns
tSP
3
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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