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参数资料
| 型号： | MT45W2MW16BBB-856WT |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 85 ns, PBGA54 |
| 封装： | 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-54 |
| 文件页数： | 40/56页 |
| 文件大小： | 709K |
| 代理商： | MT45W2MW16BBB-856WT |
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4 MEG x 16, 2 MEG x 16
ASYNC/PAGE/BURST CellularRAM MEMORY
09005aef80be1fbd pdf/09005aef80be2036 zip
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
Burst CellularRAM_2.fm - Rev. D 9/04 EN
45
2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Figure 37: Burst WRITE Operation
NOTE:
1. Non-default BCR settings for burst WRITE operation: Latency code two (three clocks); WAIT active LOW; WAIT asserted
during delay.
2. Clock rates below 50 MHz (tCLK > 20ns) are allowed as long as tCSP specifications are met.
A[21:0]
VIH
VIL
ADV#
VIH
VIL
CE#
VIH
VIL
OE#
VIH
VIL
WE#
VIH
VIL
WAIT
DQ[15:0]
VOH
VOL
CLK
VIH
VIL
VIH
VIL
tCLK
tKP
tSP
tHD
tCSP
D[3]
D[2]
D[1]
D[0]
VALID
ADDRESS
tHD
tSP
tHD
tSP
tHD
tSP
High-Z
LB#/UB#
VIH
VIL
tSP tHD
tHD
DON’T CARE
WRITE Burst Identified
(WE# = LOW)
tCBPH
tKHTL
tHZ
tCEW
tKP
tKHKL
tCEM
Table 31:
Burst WRITE Timing Parameters
SYMBOL
-701
-708
-706/-856
UNITS
SYMBOL
-701
-708
-706/-856
UNITS
MIN MAX MIN MAX MIN MAX
tCBPH
55
5
ns
tHZ
888
ns
tCEM
88
8
s
tKHKL
1.6
1.8
2.0
ns
tCEW
17.5
17.517.5
ns
tKHTL
79
11
ns
tCLK
9.62
20
12.5
20
15
20
ns
tKP
3
4
5
ns
tCSP
420
4.5
20520
ns
tSP
3
ns
tHD
22
2
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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