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参数资料
| 型号： | MT45W2MW16BBB-856WT |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 85 ns, PBGA54 |
| 封装： | 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-54 |
| 文件页数： | 37/56页 |
| 文件大小： | 709K |
| 代理商： | MT45W2MW16BBB-856WT |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页当前第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页
4 MEG x 16, 2 MEG x 16
ASYNC/PAGE/BURST CellularRAM MEMORY
09005aef80be1fbd pdf/09005aef80be2036 zip
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
Burst CellularRAM_2.fm - Rev. D 9/04 EN
42
2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Figure 34: LB#/UB#-Controlled Asynchronous WRITE
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
A[21:0]
ADV#
CE#
LB#/UB#
OE#
WE#
WAIT
DQ[15:0]
IN
VIH
VIL
VALID ADDRESS
High-Z
tWC
tCEW
tHZ
VALID INPUT
tAW
DON’T CARE
tWR
tCW
tDW
DQ[15:0]
OUT
VOH
VOL
tWHZ
tBW
tLZ
tDH
tAS
tWP
tWPH
High-Z
Table 28:
Asynchronous WRITE Timing Parameters—LB#/UB#-Controlled
SYMBOL
-70x
-856
UNITS
SYMBOL
-70x
-856
UNITS
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
tAS
00
ns
tHZ
88
ns
tAW
70
85
ns
tLZ
10
ns
tBW
70
85
ns
tWC
70
85
ns
tCEW
1
7.5
1
7.5
ns
tWHZ
8
ns
tCW
70
85
ns
tWP
46
55
ns
tDH
0
ns
tWPH
10
ns
tDW
23
ns
tWR
0
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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