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参数资料
| 型号： | MT45W2MW16BBB-856WT |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 85 ns, PBGA54 |
| 封装： | 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-54 |
| 文件页数： | 7/56页 |
| 文件大小： | 709K |
| 代理商： | MT45W2MW16BBB-856WT |
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4 MEG x 16, 2 MEG x 16
ASYNC/PAGE/BURST CellularRAM MEMORY
09005aef80be1fbd pdf/09005aef80be2036 zip
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
Burst CellularRAM_2.fm - Rev. D 9/04 EN
15
2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Figure 12: Configuration Register WRITE in Asynchronous Mode
Followed by READ ARRAY Operation
NOTE:
A[19] = LOW to load RCR; A[19] = HIGH to load BCR.
A[21:0]
(except A19)
CLK
OPCODE
ADDRESS
DATA VALID
A191
ADV#
CE#
OE#
WE#
LB#/UB#
DQ[15:0]
Initiate Control Register Access
Write Address Bus Value
to Control Register
CRE
tAVS
tAVH
tAVS
tVP
tVPH
tCBPH
tWP
tCW
DON’T CARE
Select Control Register
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46H32M32LGCM-5IT:A | 32M X 32 DDR DRAM, 5 ns, PBGA90 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MT45W2MW16BFB-856 WT | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PSRAM ASYNC 1 32MBIT 2MX16 85NS 54VFBGA - Trays |
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