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参数资料
| 型号： | W631GG6KB-15 |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 121/159页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR3 SDRAM 1GBIT 96WBGA |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR3 SDRAM |
| 存储容量： | 1G（64M x 16） |
| 速度： | 667MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 96-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 96-WBGA（9x13） |
| 包装： | 托盘 |
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W631GG6KB
10.12 Overshoot and Undershoot Specifications
10.12.1 AC Overshoot /Undershoot Specification for Address and Control Pins:
A0-A12, BA0-BA2, CS#, RAS#, CAS#, WE#, CKE, ODT
PARAMETER
Maximum peak amplitude allowed for overshoot area
Maximum peak amplitude allowed for undershoot area
Maximum overshoot area above V DD
Maximum undershoot area below V SS
DDR3-1333
0.4
0.4
0.4
0.4
DDR3-1600
0.4
0.4
0.33
0.33
DDR3-1866
0.4
0.4
0.28
0.28
UNIT
V
V
V-nS
V-nS
10.12.2 AC Overshoot /Undershoot Specification for Clock, Data, Strobe and Mask pins:
CK, CK#, DQ, DQS, DQS#, DM
PARAMETER
Maximum peak amplitude allowed for overshoot area
Maximum peak amplitude allowed for undershoot area
Maximum overshoot area above V DDQ
Maximum undershoot area below V SSQ
DDR3-1333
0.4
0.4
0.15
0.15
DDR3-1600
0.4
0.4
0.13
0.13
DDR3-1866
0.4
0.4
0.11
0.11
UNIT
V
V
V-nS
V-nS
Maximum Amplitude
Overshoot Area
V DD /V DDQ
Volts (V)
V SS /V SSQ
Maximum Amplitude
Undershoot Area
Time (nS)
Figure 104 – AC Overshoot and Undershoot Definition
Publication Release Date: Dec. 09, 2013
Revision A05
- 121 -
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PDF描述 |
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