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参数资料
型号： W631GG6KB-15
厂商： Winbond Electronics
文件页数： 139/159页
文件大小： 0K
描述： IC DDR3 SDRAM 1GBIT 96WBGA
标准包装： 200
格式 - 存储器： RAM
存储器类型： DDR3 SDRAM
存储容量： 1G（64M x 16）
速度： 667MHz
接口： 并联
电源电压： 1.425 V ~ 1.575 V
工作温度： 0°C ~ 85°C
封装/外壳： 96-TFBGA
供应商设备封装： 96-WBGA（9x13）
包装： 托盘
W631GG6KB
AC Timing and Operating Condition for -11 speed grade, continued
SYMBOL
SPEED GRADE
PARAMETER
DDR3-1866 (-11)
MIN. MAX.
UNITS
NOTES
Data Timing
t DQSQ
t QH
t LZ(DQ)
t HZ(DQ)
DQS, DQS# to DQ skew, per group, per access
DQ output hold time from DQS, DQS#
DQ low impedance time from CK, CK#
DQ high impedance time from CK, CK#
?
0.38
-390
?
85
?
195
195
pS
t CK (avg)
pS
pS
23
18, 23
17, 23, 24
17, 23, 24
t DS(AC135)
t DH(DC100)
Data setup time to
DQS, DQS#
Data hold time from
DQS, DQS#
Base specification @ 2 V/nS
V REF @ 2 V/nS
Base specification @ 2 V/nS
V REF @ 2 V/nS
68
135.5
70
120
pS
pS
pS
pS
11, 40
11, 40, 42
11, 40
11, 40, 42
t DIPW
DQ and DM Input pulse width for each input
320
?
pS
10
Data Strobe Timing
t RPRE
t RPST
DQS,DQS# differential READ Preamble
DQS,DQS# differential READ Postamble
0.9
0.3
Note 21
Note 22
t CK (avg) 18, 21, 23
t CK (avg) 18, 22, 23
t QSH
t QSL
t WPRE
t WPST
t DQSCK
t LZ(DQS)
t HZ(DQS)
t DQSL
t DQSH
t DQSS
t DSS
t DSH
DQS,DQS# differential output high time
DQS,DQS# differential output low time
DQS,DQS# differential WRITE Preamble
DQS,DQS# differential WRITE Postamble
DQS,DQS# rising edge output access time from
rising CK, CK#
DQS and DQS# low-impedance time from CK,
CK# (Referenced from RL - 1)
DQS and DQS# high-impedance time from CK,
CK# (Referenced from RL + BL/2)
DQS,DQS# differential input low pulse width
DQS,DQS# differential input high pulse width
DQS,DQS# rising edge to CK,CK# rising edge
DQS,DQS# falling edge setup time to CK,CK#
rising edge
DQS,DQS# falling edge hold time from CK,CK#
rising edge
0.4
0.4
0.9
0.3
-195
-390
?
0.45
0.45
-0.27
0.18
0.18
?
?
?
?
195
195
195
0.55
0.55
0.27
?
?
t CK (avg)
t CK (avg)
t CK (avg)
t CK (avg)
pS
pS
pS
t CK (avg)
t CK (avg)
t CK (avg)
t CK (avg)
t CK (avg)
18, 23
18, 23
46
46
17, 23
17, 23, 24
17, 23, 24
12, 14
13, 14
16
15, 16
15, 16
Command and Address Timing
t AA
t RCD
Internal read command to first data
ACT to internal read or write delay time
nS
nS
8
8
t RP
t RC
t RAS
PRE command period
ACT to ACT or REF command period
ACT to PRE command period
See ―Speed Bin‖ on page 13 6
nS
nS
nS
8
8
8
Publication Release Date: Dec. 09, 2013
Revision A05
- 139 -
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PDF描述
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W947D2HBJX5E IC LPDDR SDRAM 128MBIT 90VFBGA
相关代理商/技术参数
参数描述
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W631GG8KB-12 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR3 SDRAM 1G-Bit 128Mx8 1.5V 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 78WBGA
W631GG8KB-15 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 78WBGA
W632 制造商:LUMINIS 制造商全称:LUMINIS 功能描述:Wall mount
W632GG6KB-11 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 2GBIT 96WBGA
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