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参数资料
型号： W631GG6KB-15
厂商： Winbond Electronics
文件页数： 143/159页
文件大小： 0K
描述： IC DDR3 SDRAM 1GBIT 96WBGA
标准包装： 200
格式 - 存储器： RAM
存储器类型： DDR3 SDRAM
存储容量： 1G（64M x 16）
速度： 667MHz
接口： 并联
电源电压： 1.425 V ~ 1.575 V
工作温度： 0°C ~ 85°C
封装/外壳： 96-TFBGA
供应商设备封装： 96-WBGA（9x13）
包装： 托盘
W631GG6KB
AC Timing and Operating Condition for -12/12I/12A/12K/-15/15I/15A/15K speed grades, continued
SYMBOL
SPEED GRADE
PARAMETER
DDR3-1600
(-12/12I/12A/12K)
MIN.
MAX.
DDR3-1333
(-15/15I/15A/15K)
MIN.
MAX.
UNITS
NOTES
Data Timing
t DQSQ
t QH
t LZ(DQ)
t HZ(DQ)
t DS(AC150)
t DH(DC100)
t DIPW
DQS, DQS# to DQ skew, per group, per access
DQ output hold time from DQS, DQS#
DQ low impedance time from CK, CK#
DQ high impedance time from CK, CK#
Base specification
Data setup time to
DQS, DQS#
V REF @ 1 V/nS
Base specification
Data hold time from
DQS, DQS#
V REF @ 1 V/nS
DQ and DM input pulse width for each input
?
0.38
-450
?
10
160
45
145
360
100
?
225
225
?
?
0.38
-500
?
30
180
65
165
400
125
?
250
250
?
pS
t CK (avg)
pS
pS
pS
pS
pS
23
18, 23
17, 23, 24
17, 23, 24
11, 40
11, 40, 42
11, 40
11, 40, 42
10
Data Strobe Timing
t RPRE
t RPST
DQS,DQS# differential READ Preamble
DQS,DQS# differential READ Postamble
0.9
0.3
Note 21
Note 22
0.9
0.3
Note 21
Note 22
t CK (avg) 18, 21, 23
t CK (avg) 18, 22, 23
t QSH
t QSL
t WPRE
t WPST
t DQSCK
t LZ(DQS)
t HZ(DQS)
t DQSL
t DQSH
t DQSS
t DSS
t DSH
DQS,DQS# differential output high time
DQS,DQS# differential output low time
DQS,DQS# differential WRITE Preamble
DQS,DQS# differential WRITE Postamble
DQS,DQS# rising edge output access time from
rising CK, CK#
DQS and DQS# low-impedance time from
CK, CK# (Referenced from RL - 1)
DQS and DQS# high-impedance time from
CK, CK# (Referenced from RL + BL/2)
DQS,DQS# differential input low pulse width
DQS,DQS# differential input high pulse width
DQS,DQS# rising edge to CK,CK# rising edge
DQS,DQS# falling edge setup time to CK,CK#
rising edge
DQS,DQS# falling edge hold time from CK,CK#
rising edge
0.4
0.4
0.9
0.3
-225
-450
?
0.45
0.45
-0.27
0.18
0.18
?
?
?
?
225
225
225
0.55
0.55
0.27
?
?
0.4
0.4
0.9
0.3
-255
-500
?
0.45
0.45
-0.25
0.2
0.2
?
?
?
?
255
250
250
0.55
0.55
0.25
?
?
t CK (avg)
t CK (avg)
t CK (avg)
t CK (avg)
pS
pS
pS
t CK (avg)
t CK (avg)
t CK (avg)
t CK (avg)
t CK (avg)
18, 23
18, 23
46
46
17, 23
17, 23, 24
17, 23, 24
12, 14
13, 14
16
15, 16
15, 16
Comman d and Address Timing
t AA
t RCD
Internal read command to first data
ACT to internal read or write delay time
nS
nS
8
8
t RP
t RC
t RAS
PRE command period
ACT to ACT or REF command period
ACT to PRE command period
See ―Speed Bin‖ on
page 135
See ―Speed Bin‖ on
page 134
nS
nS
nS
8
8
8
t DLLK
t RTP
t WTR
DLL locking time
Internal READ Command to PRECHARGE
Command delay
Delay from start of internal write transaction to
internal read command
512
max(4nCK,
7.5nS)
max(4nCK,
7.5nS)
?
?
?
512
max(4nCK,
7.5nS)
max(4nCK,
7.5nS)
?
?
?
nCK
8
8, 26
Publication Release Date: Dec. 09, 2013
Revision A05
- 143 -
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PDF描述
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