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参数资料
型号： W631GG6KB-15
厂商： Winbond Electronics
文件页数： 131/159页
文件大小： 0K
描述： IC DDR3 SDRAM 1GBIT 96WBGA
标准包装： 200
格式 - 存储器： RAM
存储器类型： DDR3 SDRAM
存储容量： 1G（64M x 16）
速度： 667MHz
接口： 并联
电源电压： 1.425 V ~ 1.575 V
工作温度： 0°C ~ 85°C
封装/外壳： 96-TFBGA
供应商设备封装： 96-WBGA（9x13）
包装： 托盘
Data
W631GG6KB
Table 47 – I DD7 Measurement-Loop Pattern 1
ATTENTION: Sub-Loops 10-19 have inverse A[6:3] Pattern and Data Pattern than Sub-Loops 0-9
2
0
ACT
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
-
0
1
2
RDA
D
0
1
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
00000000
-
...
Repeat above D Command until nRRD - 1
nRRD
ACT
0
0
1
1
0
1
0
0
0
F
0
-
1
nRRD+1
nRRD+2
RDA
D
0
1
1
0
0
0
1
0
0
0
1
1
0
0
1
0
0
0
F
F
0
0
00110011
-
...
Repeat above D Command until 2 * nRRD -1
2
3
2*nRRD
3*nRRD
Repeat Sub-Loop 0, but BA[2:0] = 2
Repeat Sub-Loop 1, but BA[2:0] = 3
4
5
6
7
8
4*nRRD
nFAW
nFAW+nRRD
nFAW+2*nRRD
nFAW+3*nRRD
D 1 0 0 0 0 3 0 0 0 F
Assert and repeat above D Command until nFAW - 1, if necessary
Repeat Sub-Loop 0, but BA[2:0] = 4
Repeat Sub-Loop 1, but BA[2:0] = 5
Repeat Sub-Loop 0, but BA[2:0] = 6
Repeat Sub-Loop 1, but BA[2:0] = 7
0
-
9
nFAW+4*nRRD
D 1 0 0 0 0 7 0 0 0 F 0
Assert and repeat above D Command until 2 * nFAW - 1, if necessary
-
2*nFAW+0
ACT
0
0
1
1
0
0
0
0
0
F
0
-
10
2*nFAW+1
2*nFAW+2
RDA 0 1 0 1 0 0 0 1
D 1 0 0 0 0 0 0 0
Repeat above D Command until 2 * nFAW + nRRD - 1
0
0
F
F
0
0
00110011
-
2*nFAW+nRRD
ACT
0
0
1
1
0
1
0
0
0
0
0
-
11
2*nFAW+nRRD+1
2*nFAW+nRRD+2
RDA 0 1 0 1 0 1 0 1 0
D 1 0 0 0 0 1 0 0 0
Repeat above D Command until 2 * nFAW + 2 * nRRD -1
0
0
0
0
00000000
-
12
13
2*nFAW+2*nRRD
2*nFAW+3*nRRD
Repeat Sub-Loop 10, but BA[2:0] = 2
Repeat Sub-Loop 11, but BA[2:0] = 3
14
15
16
17
18
19
2*nFAW+4*nRRD
3*nFAW
3*nFAW+nRRD
3*nFAW+2*nRRD
3*nFAW+3*nRRD
3*nFAW+4*nRRD
D 1 0 0 0 0 3 0 0 0 0 0
Assert and repeat above D Command until 3 * nFAW - 1, if necessary
Repeat Sub-Loop 10, but BA[2:0] = 4
Repeat Sub-Loop 11, but BA[2:0] = 5
Repeat Sub-Loop 10, but BA[2:0] = 6
Repeat Sub-Loop 11, but BA[2:0] = 7
D 1 0 0 0 0 7 0 0 0 0 0
Assert and repeat above D Command until 4 * nFAW - 1, if necessary
-
-
Notes:
1. DM must be driven LOW all the time. DQS, DQS# are used according to RD Commands, otherwise MID-LEVEL.
2. Burst Sequence driven on each DQ signal by Read Command. Outside burst operation, DQ signals are MID-LEVEL.
Publication Release Date: Dec. 09, 2013
Revision A05
- 131 -
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W632GG6KB-11 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 2GBIT 96WBGA
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