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参数资料
| 型号： | W631GG6KB-15 |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 44/159页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR3 SDRAM 1GBIT 96WBGA |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR3 SDRAM |
| 存储容量： | 1G（64M x 16） |
| 速度： | 667MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 96-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 96-WBGA（9x13） |
| 包装： | 托盘 |
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W631GG6KB
8.13.2 READ Timing Definitions
Read timing is shown in Figure 23 and is applied when the DLL is enabled and locked.
Rising data strobe edge parameters:
?
?
?
?
?
t DQSCK min/max describes the allowed range for a rising data strobe edge relative to CK, CK#.
t DQSCK is the actual position of a rising strobe edge relative to CK, CK#.
t QSH describes the DQS, DQS# differential output high time.
t DQSQ describes the latest valid transition of the associated DQ pins.
t QH describes the earliest invalid transition of the associated DQ pins.
Falling data strobe edge parameters:
?
?
?
t QSL describes the DQS, DQS# differential output low time.
t DQSQ describes the latest valid transition of the associated DQ pins.
t QH describes the earliest invalid transition of the associated DQ pins.
t DQSQ ; both rising/falling edges of DQS, no t AC defined.
CK#
CK
t DQSCK(min)
t DQSCK(min)
DQS#
DQS
t DQSCK(max)
Rising Strobe
Region
t DQSCK
t QSH
t QH
t DQSQ
t DQSCK(max)
Rising Strobe
Region
t DQSCK
t QSL
t QH
t DQSQ
Associated
DQ Pins
Figure 23 – READ Timing Definition
Publication Release Date: Dec. 09, 2013
Revision A05
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PDF描述 |
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