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参数资料
型号： W631GG6KB-15
厂商： Winbond Electronics
文件页数： 157/159页
文件大小： 0K
描述： IC DDR3 SDRAM 1GBIT 96WBGA
标准包装： 200
格式 - 存储器： RAM
存储器类型： DDR3 SDRAM
存储容量： 1G（64M x 16）
速度： 667MHz
接口： 并联
电源电压： 1.425 V ~ 1.575 V
工作温度： 0°C ~ 85°C
封装/外壳： 96-TFBGA
供应商设备封装： 96-WBGA（9x13）
包装： 托盘
W631GG6KB
Table 55 – Derating values for DDR3-1333/1600 t DS /t DH - (AC150)
DQ
Slew
Δt DS , Δt DH derating in [pS] AC/DC based
DQS, DQS# Differential Slew Rate
*
rate
4.0 V/nS
3.0 V/nS
2.0 V/nS
1.8 V/nS
1.6 V/nS
1.4 V/nS
1.2 V/nS
1.0 V/nS
(V/nS)
2.0
1.5
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
Δt DS
75
50
0
-
-
-
-
-
-
Δt DH
50
34
0
-
-
-
-
-
-
Δt DS
75
50
0
0
-
-
-
-
-
Δt DH
50
34
0
-4
-
-
-
-
-
Δt DS
75
50
0
0
0
-
-
-
-
Δt DH
50
34
0
-4
-10
-
-
-
-
Δt DS
-
58
8
8
8
8
-
-
-
Δt DH
-
42
8
4
-2
-8
-
-
-
Δt DS
-
-
16
16
16
16
15
-
-
Δt DH
-
-
16
12
6
0
-10
-
-
Δt DS
-
-
-
24
24
24
23
14
-
Δt DH
-
-
-
20
14
8
-2
-16
-
Δt DS
-
-
-
-
32
32
31
22
7
Δt DH
-
-
-
-
24
18
8
-6
-26
Δt DS
-
-
-
-
-
40
39
30
15
Δt DH
-
-
-
-
-
34
24
10
-10
Note: Cell contents ? - ‘ are defined as not supported.
Table 56 – Derating values for DDR3-1866 t DS /t DH - (AC135)
Δt DS , Δt DH derating in [pS] AC/DC based
*
DQ
Slew
rate
Alternate AC135 Threshold -> VIH(AC)=VREF(DC)+135mV, VIL(AC)=VREF(DC)-135mV
Alternate DC100 Threshold -> VIH(DC)=VREF(DC)+100mV, VIL(DC)=VREF(DC)-100mV
DQS, DQS# Differential Slew Rate
(V/nS) 8.0 V/nS
7.0 V/nS
6.0 V/nS
5.0 V/nS
4.0 V/nS
3.0 V/nS
2.0 V/nS
1.8 V/nS
1.6 V/nS
1.4 V/nS
1.2 V/nS
1.0 V/nS
Δt DS Δt DH Δt DS Δt DH Δt DS Δt DH Δt DS Δt DH Δt DS Δt DH Δt DS Δt DH Δt DS Δt DH Δt DS Δt DH Δt DS Δt DH Δt DS Δt DH Δt DS Δt DH Δt DS Δt DH
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
34
29
23
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
21
17
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
34
29
23
14
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
21
17
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
34
29
23
14
0
-
-
-
-
-
-
-
-
25
21
17
10
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
29
23
14
0
-23
-
-
-
-
-
-
-
-
21
17
10
0
-17
-
-
-
-
-
-
-
-
-
23
14
0
-23
-68
-
-
-
-
-
-
-
-
17
10
0
-17
-50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
14
0
-23
-68
-66
-
-
-
-
-
-
-
-
10
0
-17
-50
-54
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0
-23
-68
-66
-64
-
-
-
-
-
-
-
-
0
-17
-50
-54
-60
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-15
-60
-58
-56
-53
-
-
-
-
-
-
-
-
-9
-42
-46
-52
-59
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-52
-50
-48
-45
-43
-
-
-
-
-
-
-
-
-34
-38
-44
-51
-61
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-42
-40
-37
-35
-39
-
-
-
-
-
-
-
-
-30
-36
-43
-53
-66
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-32
-29
-27
-31
-38
-
-
-
-
-
-
-
-
-26
-33
-43
-56
-76
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-21
-19
-23
-30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-17
-27
-40
-60
Note: Cell contents ? - ‘ are defined as not supported.
Table 57 – Required time t VAC above V IH(AC) {below V IL(AC) } for valid DQ transition
DDR3-1333/1600
DDR3-1866
Slew Rate [V/nS]
t VAC @ 150mV [pS]
t VAC @ 135mV [pS]
t VAC @ 135mV [pS]
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
> 2.0
2.0
1.5
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
< 0.5
105
105
80
30
13
Note
Note
Note
Note
Note
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
113
113
90
45
30
11
Note
Note
Note
Note
-
-
-
-
-
-
-
-
-
93
93
70
25
Note
Note
Note
Note
Note
Note
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Note: Rising input signal shall become equal to or greater than V IH(AC) level and Falling input signal shall become equal to or less than
V IL(AC) level.
Publication Release Date: Dec. 09, 2013
Revision A05
- 157 -
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W9425G6EH-5 IC DDR-400 SDRAM 256MB 66TSSOPII
W9425G6JH-5I IC DDR SDRAM 256MBIT 66TSOPII
W947D2HBJX5E IC LPDDR SDRAM 128MBIT 90VFBGA
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参数描述
W631GG8KB-11 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 78WBGA
W631GG8KB-12 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR3 SDRAM 1G-Bit 128Mx8 1.5V 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 78WBGA
W631GG8KB-15 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 78WBGA
W632 制造商:LUMINIS 制造商全称:LUMINIS 功能描述:Wall mount
W632GG6KB-11 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 2GBIT 96WBGA
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