- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录368 > W631GG6KB-15 (Winbond Electronics)IC DDR3 SDRAM 1GBIT 96WBGA Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | W631GG6KB-15 |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 47/159页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR3 SDRAM 1GBIT 96WBGA |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR3 SDRAM |
| 存储容量： | 1G（64M x 16） |
| 速度： | 667MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 96-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 96-WBGA（9x13） |
| 包装： | 托盘 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页当前第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页
W631GG6KB
8.13.2.3 t LZ(DQS) , t LZ(DQ) , t HZ(DQS) , t HZ(DQ) Calculation
t HZ and t LZ transitions occur in the same time window as valid data transitions. These parameters are
referenced to a specific voltage level that specifies when the device output is no longer driving t HZ(DQS)
and t HZ(DQ) , or begins driving t LZ(DQS) , t LZ(DQ) . Figure 26 shows a method to calculate the point when
the device is no longer driving t HZ(DQS) and t HZ(DQ) , or begins driving t LZ(DQS) , t LZ(DQ) , by measuring
the signal at two different voltages. The actual voltage measurement points are not critical as long as
the calculation is consistent. The parameters t LZ(DQS) , t LZ(DQ) , t HZ(DQS) , and t HZ(DQ) are defined as
singled ended.
t LZ(DQS) : CK – CK# rising crossing at RL - 1
t LZ(DQ) : CK – CK# rising crossing at RL
CK
CK#
t LZ
V TT + 2x mV
V TT + x mV
t LZ(DQS) , t LZ(DQ)
t HZ(DQS) , t HZ(DQ) with BL8: CK – CK# rising crossing at RL + 4 nCK
t HZ(DQS) , t HZ(DQ) with BC4: CK – CK# rising crossing at RL + 2 nCK
CK
CK#
t HZ
V OH - x mV
V OH - 2x mV
t HZ(DQS) , t HZ(DQ)
V TT - x mV
V TT - 2x mV
T1
T2
T1
T2
V OL + 2x mV
V OL + x mV
t LZ(DQS) , t LZ(DQ) begin point = 2 * T1 - T2
t HZ(DQS) , t HZ(DQ) end point = 2 * T1 - T2
Figure 26 – t LZ and t HZ method for calculating transitions and endpoints
Publication Release Date: Dec. 09, 2013
Revision A05
- 47 -
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W9412G6IH-5 | IC DDR-400 SDRAM 128MB 66TSSOPII |
| W9412G6JH-5I | IC DDR SDRAM 128MBIT 66TSOPII |
| W9425G6EH-5 | IC DDR-400 SDRAM 256MB 66TSSOPII |
| W9425G6JH-5I | IC DDR SDRAM 256MBIT 66TSOPII |
| W947D2HBJX5E | IC LPDDR SDRAM 128MBIT 90VFBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W631GG8KB-11 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 78WBGA |
| W631GG8KB-12 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR3 SDRAM 1G-Bit 128Mx8 1.5V 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 78WBGA |
| W631GG8KB-15 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 78WBGA |
| W632 | 制造商:LUMINIS 制造商全称:LUMINIS 功能描述:Wall mount |
| W632GG6KB-11 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR3 SDRAM 2GBIT 96WBGA |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。