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参数资料
| 型号： | W631GG6KB-15 |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 49/159页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR3 SDRAM 1GBIT 96WBGA |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR3 SDRAM |
| 存储容量： | 1G（64M x 16） |
| 速度： | 667MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 96-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 96-WBGA（9x13） |
| 包装： | 托盘 |
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W631GG6KB
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
T11
T12
T13
T14
CK#
CK
Command *3
READ
NOP
NOP
NOP
READ
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
t CCD
Address *4
DQS, DQS#
Bank
Col n
Bank
Col b
t RPRE
t RPST
DQ *2
RL = 6
Dout
n
Dout
n+1
Dout
n+2
Dout
n+3
Dout
n+4
Dout
n+5
Dout
n+6
Dout
n+7
Dout
b
Dout
b+1
Dout
b+2
Dout
b+3
Dout
b+4
Dout
b+5
Dout
b+6
Dout
b+7
RL = 6
NOTES: 1. BL8, RL = 6 (CL = 6, AL = 0).
2. Dout n (or b) = data-out from column n (or column b).
3. NOP commands are shown for ease of illustration; other commands may be valid at these times.
4. BL8 setting activated by either MR0 A[1:0] = 00 or MR0 A[1:0] = 01 and A12 = 1 during READ commands at T0 and T4.
Figure 29 – READ (BL8) to READ (BL8)
TRANSITIONING DATA
DON'T CARE
T0
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
T11
T12
T13
T14
T15
CK#
CK
Command *3
READ
NOP
NOP
NOP
READ
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
t CCD = 5
Address *4
DQS# *5
DQS,
Bank
Col n
Bank
Col b
t RPRE
t RPST
DQ *2
RL = 6
Dout
n
Dout
n+1
Dout
n+2
Dout
n+3
Dout
n+4
Dout
n+5
Dout
n+6
Dout
n+7
Dout
b
Dout
b+1
Dout
b+2
Dout
b+3
Dout
b+4
Dout
b+5
Dout
b+6
Dout
b+7
RL = 6
NOTES: 1. BL8, RL = 6 (CL = 6, AL = 0), t CCD = 5.
2. Dout n (or b) = data-out from column n (or column b).
3. NOP commands are shown for ease of illustration; other commands may be valid at these times.
4. BL8 setting activated by either MR0 A[1:0] = 00 or MR0 A[1:0] = 01 and A12 = 1 during READ commands at T0 and T5.
TIME BREAK
TRANSITIONING DATA
DON'T CARE
5. DQS-DQS# is held logic low at T10.
Figure 30 – Nonconsecutive READ (BL8) to READ (BL8), t CCD =5
Publication Release Date: Dec. 09, 2013
Revision A05
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