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参数资料
| 型号： | W631GG6KB-15 |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 60/159页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DDR3 SDRAM 1GBIT 96WBGA |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | DDR3 SDRAM |
| 存储容量： | 1G（64M x 16） |
| 速度： | 667MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 96-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 96-WBGA（9x13） |
| 包装： | 托盘 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页当前第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页
W631GG6KB
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
Tn
CK#
CK
Command *3
WRITE
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
READ
t WTR *5
Address *4
DQS, DQS#
Bank
Col n
t WPRE
t WPST
Bank
Col b
DQ *2
Din
n
Din
n+1
Din
n+2
Din
n+3
WL = 5
RL = 6
Notes:
TIME BREAK
TRANSITIONING DATA
DON'T CARE
1.
2.
3.
4.
5.
BC4, WL = 5, RL = 6.
Din n = data-in from column n; Dout b = data-out from column b.
NOP commands are shown for ease of illustration; other commands may be valid at these times.
BC4 setting activated by MR0 A[1:0] = 10 during WRITE command at T0 and READ command at Tn.
t WTR controls the write to read delay to the same device and starts with the first rising clock edge after the last write data
shown at T7.
Figure 45 – WRITE (BC4) to READ (BC4) Operation
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
Tn
CK#
CK
Command *3
WRITE
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
PRE
t WR *5
Address *4
Bank
Col n
DQS, DQS#
t WPRE
t WPST
DQ *2
Din
n
Din
n+1
Din
n+2
Din
n+3
WL = 5
Notes:
TIME BREAK
TRANSITIONING DATA
DON'T CARE
1.
2.
3.
4.
5.
BC4, WL = 5, RL = 6.
Din n = data-in from column n; Dout b = data-out from column b.
NOP commands are shown for ease of illustration; other commands may be valid at these times.
BC4 setting activated by MR0 A[1:0] = 10 during WRITE command at T0.
The write recovery time (t WR ) referenced from the first rising clock edge after the last write data shown at T7. t WR specifies
the last burst write cycle until the precharge command can be issued to the same bank.
Figure 46 – WRITE (BC4) to PRECHARGE Operation
Publication Release Date: Dec. 09, 2013
Revision A05
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