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参数资料
| 型号： | SIS600 |
| 厂商： | SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP |
| 元件分类： | 外设及接口 |
| 英文描述： | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PBGA487 |
| 封装： | BGA-487 |
| 文件页数： | 100/144页 |
| 文件大小： | 1592K |
| 代理商： | SIS600 |
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SiS600 Pentium II PCI /A.G.P. Chipset
Preliminary V1.0 Jan. 25, 1999
56
Silicon Integrated Systems Corporation
96~95h
Reserved
97h
Page Table Cache Control
00h
R/W
9B~98h
Invalid Page Table Cache Control
00000000h
R/W
AF~9Ch
Reserved
00000000h
R/W
7.1.9.
A.G.P. AND 66MHZ HOST BRIDGE
REGISTER
ADDRESS
REGISTER NAME
DEFAULT
VALUE
ACCESS TYPE
C3~C0h
A.G.P. Capability Identify Register
00100002h
RO
C7~C4h
A.G.P. Status Register
1F000203h
RO
CB~C8h
A.G.P. Command Register
00000000h
R/W
D3~CCh
Reserved
D4h
A.G.P. Interface Arbitration Timer (1)
00h
R/W
D5h
A.G.P. Interface Arbitration Timer (2)
00h
R/W
D6h
Data Transfer Counter
00h
R/W
D7h
PCI 33/66 Idle Timer
00h
R/W
D8h
AD_STB timing control
00h
R/W
D9h
Reserved
0000h
R/W
Dah
PCI 33/66 Balance Timer
00h
R/W
DF~DBh
Reserved
E0h
A.G.P. Compliant Target / Arbiter Control
Register.
00h
R/W
E1h
Reserved
00h
R/W
E2h
PCI66 Target Bridge Characteristics
00h
R/W
E3h
CPU to PCI66 Bridge Characteristics
00h
R/W
7.2.
DEVICE 2, FUNCTION 0 (VIRTUAL PCI-TO-PCI BRIDGE)
REGISTER
ADDRESS
REGISTER NAME
DEFAULT
VALUE
ACCESS TYPE
00-01h
Vendor ID
1039h
RO
02-03h
Device ID
0001h
RO
04-05h
PCI Command Register
0000h
RO
R/W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SL15100ZC-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL15100ZI-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL18860DCT | 52 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO10 |
| SL28504RZC | OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO64 |
| SL28504RLCT | OTHER CLOCK GENERATOR, QCC64 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIS776DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIS776DN-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8 |
| SiS778DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS780DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiS780DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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