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参数资料
| 型号： | SIS600 |
| 厂商： | SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP |
| 元件分类： | 外设及接口 |
| 英文描述： | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PBGA487 |
| 封装： | BGA-487 |
| 文件页数： | 14/144页 |
| 文件大小： | 1592K |
| 代理商： | SIS600 |
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SiS600 Pentium II PCI /A.G.P. Chipset
Preliminary V1.0 Jan. 25, 1999
107
Silicon Integrated Systems Corporation
3:2
R/W
Initial Latency Control
This field controls the target initial latency of the PCI66 target bridge. If SiS600 is
unable to assert TRDY# for a transaction within the target initial latency defined by
this field, SiS600 asserts STOP# to retry this cycle.
00: Disable
01: 16 PCI33 Clocks
10: 32 PCI33 Clocks
11: 48 PCI33 Clocks
1
R/W
Subsequent Latency Control
When this bit is enabled, SiS600 terminates a transaction with STOP# if it is unable
to assert TRDY# for the subsequent data transfers within 8 clocks.
0: Disable
1: Enable
0
R/W
Test Mode
This bit controls the test mode for PCI66.
0: Test mode
1: Normal mode
Register E3h
CPU to PCI66 Bridge characteristics
Default Value:
00h
Access:
Read/Write
BIT
ACCESS
DESCRIPTION
7:3
R/W
Reserved
2
R/W
Non-Post Cycle Retry Behavior Control
When enabled, CPU-to-PCI non-post cycle being retried by PCI target will be
regenerated once, before SiS600 backs off CPU. When disabled, SiS600 will back off
CPU immediately when the current CPU-to-PCI non-post cycle is being retried.
1: Enable
0: Disable
1
R/W
Memory Burst Control
This bit enables the host bridge to generate memory burst cycles.
0: Disable
1: Enable
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SL15100ZC-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL15100ZI-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL18860DCT | 52 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO10 |
| SL28504RZC | OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO64 |
| SL28504RLCT | OTHER CLOCK GENERATOR, QCC64 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIS776DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIS776DN-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8 |
| SiS778DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS780DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiS780DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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