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参数资料
| 型号： | SIS600 |
| 厂商： | SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP |
| 元件分类： | 外设及接口 |
| 英文描述： | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PBGA487 |
| 封装： | BGA-487 |
| 文件页数： | 33/144页 |
| 文件大小： | 1592K |
| 代理商： | SIS600 |
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SiS600 Pentium II PCI /A.G.P. Chipset
Preliminary V1.0 Jan. 25, 1999
125
Silicon Integrated Systems Corporation
6:5
R/W
Ultra DMA/33 cycle time Select
00: Reserved
01: Cycle time of 2 PCI clocks for data out
10: Cycle time of 3 PCI clocks for data out
11: Cycle time of 4 PCI clocks for data out
4:3
RO
Reserved
2:0
R/W
Data Active Time Control
000: 8 PCICLK
001: 1 PCICLK
010: 2 PCICLK
011: 3 PCICLK
100: 4 PCICLK
101: 5 PCICLK
110: 6 PCICLK
111: 12 PCICLK
Register 46h
IDE Secondary Channel/Slave Drive Data Recovery Time Control
Default Value:
00h
Access:
Read/Write
BIT
ACCESS
DESCRIPTION
7:4
RO
Reserved
3:0
R/W
Recovery Time
0000: 12 PCICLK
0001: 1 PCICLK
0010: 2 PCICLK
0011: 3 PCICLK
0100: 4 PCICLK
0101: 5 PCICLK
0110: 6 PCICLK
0111: 7 PCICLK
1000: 8 PCICLK
1001: 9 PCICLK
1010: 10 PCICLK
1011: 11 PCICLK
1100: 13 PCICLK
1101: 14 PCICLK
1110: 15 PCICLK
1111: 15 PCICLK
Register 47h
IDE Secondary Channel/Slave Drive Data Active Time Control
Default Value: 00h
Access:
Read/Write
BIT
ACCESS
DESCRIPTION
7
R/W
Ultra DMA Mode Control
0: Disable
1: Enable
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SL15100ZC-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL15100ZI-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL18860DCT | 52 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO10 |
| SL28504RZC | OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO64 |
| SL28504RLCT | OTHER CLOCK GENERATOR, QCC64 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIS776DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIS776DN-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8 |
| SiS778DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS780DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiS780DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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