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参数资料
| 型号： | SIS600 |
| 厂商： | SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP |
| 元件分类： | 外设及接口 |
| 英文描述： | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PBGA487 |
| 封装： | BGA-487 |
| 文件页数： | 21/144页 |
| 文件大小： | 1592K |
| 代理商： | SIS600 |
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SiS600 Pentium II PCI A.G.P. Chipset
Preliminary V1.0 Jan. 25, 1999
114
Silicon Integrated Systems Corporation
Register 20h
Non-prefetchable Memory Base Address (MBASE)
Default Value:
FFF0h
Access:
Read/Write, Read Only
The register defines the base address of a non-prefetchable memory address range that is used by SiS600 to
determine when to forward memory transactions from CPU to A.G.P. bus.
BIT
ACCESS
DESCRIPTION
15:4
R/W
Memory Address Base A[31:20]
Bits[15:4] controls the CPU to A.G.P. memory access. SiS600 forward I/O cycle
initiated by CPU to A.G.P. bus if the address of the cycle meets the following
requirement.
MBASE
≤ address ≤ MLIMIT
3:0
RO
Reserved
Register 22h
Non-prefetchable Memory Limit Address (MLIMIT)
Default Value:
0000h
Access:
Read/Write, Read Only
The register defines the top address of a non-prefetchable memory address range that is used by SiS600 to
determine when to forward memory transactions from CPU to A.G.P. bus.
BIT
ACCESS
DESCRIPTION
15:4
R/W
Memory Address Limit A[31:20].
Bits[15:4] controls the CPU to A.G.P. memory access. SiS600 forward I/O cycle
initiated by CPU to A.G.P. bus if the address of the cycle meets the following
requirement.
MBASE
≤ address ≤ MLIMIT
3:0
RO
Reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SL15100ZC-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL15100ZI-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL18860DCT | 52 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO10 |
| SL28504RZC | OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO64 |
| SL28504RLCT | OTHER CLOCK GENERATOR, QCC64 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIS776DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIS776DN-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8 |
| SiS778DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS780DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiS780DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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