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参数资料
| 型号： | SIS600 |
| 厂商： | SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP |
| 元件分类： | 外设及接口 |
| 英文描述： | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PBGA487 |
| 封装： | BGA-487 |
| 文件页数： | 126/144页 |
| 文件大小： | 1592K |
| 代理商： | SIS600 |
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SiS600 Pentium II PCI /A.G.P. Chipset
Preliminary V1.0 Jan. 25, 1999
79
Silicon Integrated Systems Corporation
5
R/W
DRAM Configuration Selection
0: Single sided
1: Double sided
4
R/W
Reserved
RAM Type Selection
FPM/EDO DRAM
0000: 256K Symmetric 9x9
0001: 1M Symmetric 10x10
0010: 4M Symmetric 11x11
0011: 16M Symmetric 12x12
0100: 12x8 1M Asymmetric
0101: 12x9 2M Asymmetric
0110: 12x10 4M Asymmetric
0111: 12x11 8M Asymmetric
1000: 10x9 512K Asymmetric 1001: 11x9 1M Asymmetric
1010: 11x10 2M Asymmetric
Others: Reserved
SDRAM (NBAxNRAxNCA)
0000: 1x11x8(1M)
0001: 1x13x8(4M)
0010: 2x12x8(4M)
0011: 2x13x8(8M)
0100: 1x11x9(2M)
0101: 1x13x9(8M)
0110: 2x12x9(8M)
0111: 2x13x9(16M)
1000: 1x11x10(4M)
1001: 1x13x10(16M)
1010: 2x12x10(16M) 1011: 2x13x10(32M)
1100: 2x11x8(2M)
Others: Reserved
Register 63h
DRAM Status Register (bit-x =bank-x)
Default Value :
FFh
Access:
Read/Write
This register is used to specify which DRAM banks are populated with DRAM.
BIT
ACCESS
DESCRIPTION
7:3
R/W
Reserved
2:0
R/W
DRAM Status
0: Absent
1: Installed
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SL15100ZC-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL15100ZI-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL18860DCT | 52 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO10 |
| SL28504RZC | OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO64 |
| SL28504RLCT | OTHER CLOCK GENERATOR, QCC64 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIS776DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIS776DN-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8 |
| SiS778DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS780DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiS780DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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