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参数资料
| 型号： | SIS600 |
| 厂商： | SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP |
| 元件分类： | 外设及接口 |
| 英文描述： | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PBGA487 |
| 封装： | BGA-487 |
| 文件页数： | 101/144页 |
| 文件大小： | 1592K |
| 代理商： | SIS600 |
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SiS600 Pentium II PCI /A.G.P. Chipset
Preliminary V1.0 Jan. 25, 1999
3
Silicon Integrated Systems Corporation
Meets PC98 Requirements
Supports PCI Revision 2.1 Specification
Provides High Performance PCI Arbiter.
Supports up to 4 PCI Masters
Supports Rotating Priority Mechanism
Hidden Arbitration Scheme Minimizes Arbitration Overhead.
Supports Concurrency between CPU to Memory and PCI to PCI.
Programmable Timers Ensure Guaranteed Minimum Access Time for PCI Bus Masters, and CPU
Integrated Host-to-PCI Bridge
Supports Asynchronous PCI Clock
Translates the CPU Cycles into the PCI Bus Cycles
Zero Wait State Burst Cycles
Supports Pipeline Process in CPU-to-PCI Access
Maximum PCI Burst Transfer from 256 Bytes to 4 Kbytes
Supports Memory Remapping Function for PCI master accessing Graphical Texture Range
Reassembles PCI burst data size into optimized block size for the data snooping in the host bus to
minimize interference on CPU
Integrated A.G.P. Compliant Target/66Mhz Host-to-PCI Bridge
Supports Synchronous/ Asynchronous A.G.P. Clock
Supports 1X, and 2X Mode for A.G.P. 66/133 MHz 3.3V device
Translates the CPU Cycles into the A.G.P. Bus (PCI66) Cycles
Translates Sequential CPU-to-AGP Memory Write Cycles into A.G.P. Bus (PCI66) Burst Cycles
Zero Wait State Burst Cycles
Supports Pipeline Process in CPU-to-A.G.P. Access
Maximum PCI Burst Transfer from 256 Bytes to 4 Kbytes
Reassembles PCI burst data size into optimized block size for the data snooping in the host bus to
minimize interference on CPU
Supports PCI-to-PCI bridge function for memory write from 33Mhz PCI bus to A.G.P. bus
Fast PCI IDE Master/Slave Controller
Supports PCI Bus Mastering
Plug and Play Compatible
Supports Scatter and Gather
Supports Dual Mode Operation - Native Mode and Compatibility Mode
Supports IDE PIO Timing Mode 0, 1, 2 ,3 and 4
Supports Multiword DMA Mode 0, 1, 2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SL15100ZC-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL15100ZI-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL18860DCT | 52 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO10 |
| SL28504RZC | OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO64 |
| SL28504RLCT | OTHER CLOCK GENERATOR, QCC64 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIS776DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIS776DN-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8 |
| SiS778DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS780DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiS780DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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