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参数资料
| 型号： | SIS600 |
| 厂商： | SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP |
| 元件分类： | 外设及接口 |
| 英文描述： | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PBGA487 |
| 封装： | BGA-487 |
| 文件页数： | 128/144页 |
| 文件大小： | 1592K |
| 代理商： | SIS600 |
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SiS600 Pentium II PCI /A.G.P. Chipset
Preliminary V1.0 Jan. 25, 1999
81
Silicon Integrated Systems Corporation
8.1.4.
POWER MANAGEMENT
Register 68h~69h ACPI I/O Space Base Address Register
Default Value:
0000h
Access:
Read/Write
BIT
ACCESS
DESCRIPTION
15:5
R/W
A[15:5] for ACPI I/O Space base Address
This register specifies A[15:5] of the starting address of the ACPI I/O space.
4:3
R/W
Reserved
2
R/W
A.G.P. Request Enable
This bit controls the A.G.P. request during ACPI cycles. When disabled, no A.G.P.
request is acceptable during ACPI cycles.
0: Disable
1: Enable
1
R/W
Reserved
0
R/W
Validity Bit
When set to 1, the base address contain in Bit[15:5] in valid. Otherwise the base
address defined in Bit[15:5] is ignored.
0: Invalid
1: Valid
Register 6Ah
SMRAM Access Control Register
Default Value:
00h
Access:
Read/Write
BIT
ACCESS
DESCRIPTION
7:6
R/W
SMRAM Area Re-mapping Control
This field controls how the address in the host bus is mapped to the system memory
address when the SMARM access control bit is enabled or CPU is in the system
management mode.
Bits[7:6]
Host AddressSystem Memory Address
00
E0000h~E7FFFh
E0000h~E7FFFh (32K)
01
E0000h~E7FFFh
A0000h~A7FFFh (32K)
10
E0000h~E7FFFh
B0000h~B7FFFh (32K)
11
A0000h~AFFFFh
A0000h~AFFFFh (64K)
5
R/W
Reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SL15100ZC-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL15100ZI-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL18860DCT | 52 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO10 |
| SL28504RZC | OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO64 |
| SL28504RLCT | OTHER CLOCK GENERATOR, QCC64 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIS776DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIS776DN-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8 |
| SiS778DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS780DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiS780DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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