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参数资料
| 型号： | SIS600 |
| 厂商： | SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP |
| 元件分类： | 外设及接口 |
| 英文描述： | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PBGA487 |
| 封装： | BGA-487 |
| 文件页数： | 7/144页 |
| 文件大小： | 1592K |
| 代理商： | SIS600 |
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SiS600 Pentium II PCI /A.G.P. Chipset
Preliminary V1.0 Jan. 25, 1999
101
Silicon Integrated Systems Corporation
15:8
RO
Next Capability
Default value is “00h” to indicate the final item.
7:0
RO
A.G.P. Capability ID
Default value is “02h”. to indicate the list item as pertaining to A.G.P. registers.
Register C4h
A.G.P. Status Register
Default Value:
1F000203h
Access:
Read Only
BIT
ACCESS
DESCRIPTION
31:24
RO
RQ Field
The RQ field contains the maximum number of AGP command requests that
SiS600 can manage. Default value is “1Fh” and it means 32.
23:10
RO
Reserved
9
RO
SBA
Default value is 1 to indicate that SiS600 supports side band addressing.
8:2
RO
Reserved
1:0
RO
Data Rate
The RATE field indicates the supported data transfer rates.
Default value is “11b” to indicate SiS600 support both 1X and 2X mode.
Register C8h
A.G.P. Command Register
Default Value:
00000000h
Access:
Read/Write
BIT
ACCESS
DESCRIPTION
31:10
R/W
Reserved
9
R/W
SBA_ENABLE.
When set, the side band address mechanism is enabled.
8
R/W
AGP_ENABLE.
Setting the bit allows the target to accept A.G.P. bus operations. When cleared, the
target ignores incoming A.G.P. bus operations. Please note that the target must be
enabled before the master.
7:2
R/W
Reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SL15100ZC-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL15100ZI-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL18860DCT | 52 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO10 |
| SL28504RZC | OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO64 |
| SL28504RLCT | OTHER CLOCK GENERATOR, QCC64 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIS776DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIS776DN-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8 |
| SiS778DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS780DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiS780DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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