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参数资料
| 型号： | SIS600 |
| 厂商： | SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP |
| 元件分类： | 外设及接口 |
| 英文描述： | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PBGA487 |
| 封装： | BGA-487 |
| 文件页数： | 44/144页 |
| 文件大小： | 1592K |
| 代理商： | SIS600 |
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SiS600 Pentium II PCI /A.G.P. Chipset
Preliminary V1.0 Jan. 25, 1999
135
Silicon Integrated Systems Corporation
9.2.2. DC CHARACTERISTICS OF A.G.P. INTERFACE
TA=0-70
0C, GND=0V, VCC5=5V
± 5%, VCC=3.3V± 5%
Table 9.2-2 DC Characteristics of A.G.P. Interface
SYMBOL
PARAMETER
MIN
MAX
UNIT
NOTES
V
DD
I/O Supply Voltage
3.0
3.6
V
REF
Input Reference Voltage
0.39V
DD
0.41V
DD
V
IL1
Input Low Voltage for 1X
Signaling
-0.5
0.3 V
DD
V
IH1
Input High Voltage for 1X
Signaling
0.5V
DD
V
DD +0.5
V
IL2
Input Low Voltage for 2X
Sinaling
V
REF -0.2
V
IH2
Input High Voltage for 2X
Signaling
V
REF+0.2
V
OL
Output Low Voltage
0.1 V
DD
V
OH
Output High Voltage
0.9V
DD
V
I
REF
V
REF Pin Input Current
+10
mA
I
OL
Output Low Current
2,3,4
mA
Note1
I
OH
Output High Current
-2,-3,-4
mA
Note1
I
IH
Input High Leakage Current
70
A
I
IL
Input Low Leakage Current
±10
A
C
IN
Input Capacitance
5~8
pF
C
OUT
Output Capacitance
12
pF
CIN
Strobe to Data Pin
Capacitance Delta
-1
2
pF
Note:
1. The driving current is programmed. Please refer to register description.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SL15100ZC-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL15100ZI-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL18860DCT | 52 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO10 |
| SL28504RZC | OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO64 |
| SL28504RLCT | OTHER CLOCK GENERATOR, QCC64 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIS776DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIS776DN-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8 |
| SiS778DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS780DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiS780DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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