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参数资料
| 型号： | SIS600 |
| 厂商： | SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP |
| 元件分类： | 外设及接口 |
| 英文描述： | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PBGA487 |
| 封装： | BGA-487 |
| 文件页数： | 144/144页 |
| 文件大小： | 1592K |
| 代理商： | SIS600 |
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SiS600 Pentium II PCI A.G.P. Chipset
Preliminary V1.0 Jan. 25, 1999
96
Silicon Integrated Systems Corporation
8.1.10. CPU/PCI CLOCKS DLL CONTROL REGISTERS
Register 8Ch
DLL Control
Default Value:
00h
Access:
Read/Write
DLL is used to minimize the clock skew between internal and external clocks. This register controls the time
period that DLL circuit locks the reference clock again. This register applies to CPU clock and PCI clock.
BIT
ACCESS
DESCRIPTION
7:6
R/W
DLL Lock Period Control
This field controls the period that DLL adjust the internal clock to the reference
clock source.
Bit[7:6] Period
00
4T
01
8T
10
16T
11
32T
T is the reference clock source for DLL.
5:3
R/W
Reserved
2
R/W
Test bit for internal clock
0: Normal Mode
1: Test Mode
1
R/W
Test bit for DRAM clock
0: Normal Mode
1: Test Mode
5:0
R/W
Test bit for PCI DLL function
0: Normal Mode
1: Test Mode
Register 8D
Timing Control for DRAM Controller
Default Value:
62h
Access:
Read/Write
BIT
ACCESS
DESCRIPTION
7
R/W
Reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SL15100ZC-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL15100ZI-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL18860DCT | 52 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO10 |
| SL28504RZC | OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO64 |
| SL28504RLCT | OTHER CLOCK GENERATOR, QCC64 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIS776DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIS776DN-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8 |
| SiS778DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS780DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiS780DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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