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参数资料
| 型号： | SIS600 |
| 厂商： | SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP |
| 元件分类： | 外设及接口 |
| 英文描述： | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PBGA487 |
| 封装： | BGA-487 |
| 文件页数： | 12/144页 |
| 文件大小： | 1592K |
| 代理商： | SIS600 |
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SiS600 Pentium II PCI /A.G.P. Chipset
Preliminary V1.0 Jan. 25, 1999
106
Silicon Integrated Systems Corporation
1
R/W
Synchronous Mode.
This bit can only be enabled when A.G.P. clock and CPU clock are generated from
the same source and the external skew between these two clocks is less than 2ns.
0: Disable
1: Enable
0
R/W
TRDY# Delay for Data Transfer
When set to 0, TRDY# is asserted in the fastest timing for read data transfer. When
set to 1, the assertion of TRDY# for read data transfer is delayed 1 clock.
0: Minimum Delay
1: Maximum Delay
Register E1h
Reserved
Register E2h
PCI66 Target Bridge Characteristics
Default Value:
00h
Access:
Read/Write
BIT
ACCESS
DESCRIPTION
7
R/W
Reserved
6
R/W
PCI 33/66 Memory Read Multiple Lines Control
This bit is only valid when PCI master memory read prefetch function is enabled.
(Controlled by Register 82h bits[5:4] and Register E2h bits[5:4] for PCI33 and
PCI66, respectively). When this bit is 0, one more pending memory read prefetch
cycle will be issued by SiS600 for PCI masters; when this bit is 1, two more
pending memory read prefetch cycles can be generated.
0: 1 more pending cycle
1: 2 more pending cycles
5
R/W
PCI66 Memory Read Line or Memory Read Multiple Command Prefetch
Enable
This bit enables data prefetching for Memory Read Line or Memory Read Multiple
commands.
0: Disable
1: Enable
4
R/W
PCI66 Memory Read Command Prefetch Enable
This bit enables data prefetching for Memory Read command.
0: Disable
1: Enable
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SL15100ZC-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL15100ZI-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL18860DCT | 52 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO10 |
| SL28504RZC | OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO64 |
| SL28504RLCT | OTHER CLOCK GENERATOR, QCC64 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIS776DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIS776DN-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8 |
| SiS778DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS780DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiS780DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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