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参数资料
| 型号： | SIS600 |
| 厂商： | SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP |
| 元件分类： | 外设及接口 |
| 英文描述： | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PBGA487 |
| 封装： | BGA-487 |
| 文件页数： | 67/144页 |
| 文件大小： | 1592K |
| 代理商： | SIS600 |
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SiS600 Pentium II PCI /A.G.P. Chipset
Preliminary V1.0 Jan. 25, 1999
26
Silicon Integrated Systems Corporation
5.2.1.3.
SDRAM CONFIGURATION (2 DIMM/3 DIMM):
EDO/
SDRAM
DIMM
MA[14:2]
MA[1:0]
RAMWA#
CAS[7:0]#/
DQM[7:0]#
RAS1#/CS0#
RAS0#/CS0#
MD[63:0]
BANK0
SCAS
SRAS
EDO/
SDRAM
DIMM
MA[14:2]
MA[1:0]
RAMWA#
CAS[7:0]#/
DQM[7:0]#
RAS1#/CS0#
RAS0#/CS0#
MD[63:0]
BANK1
SCAS
SRAS
EDO/
SDRAM
DIMM
MA[14:2]
MA[1:0]
RAMWA#
CAS[7:0]#/
DQM[7:0]#
RAS1#/CS0#
RAS0#/CS0#
MD[63:0]
BANK2
SCAS
SRAS
Figure 5.2-2 SDRAM Configuration
5.2.1.4.
DRAM TYPE MIXED CONFIGURATION: EDO/FPM + SDRAM (4 SIMM + 2 DIMM)
EDO/
SDRAM
DIMM
MA[13:2]
MA[1:0]
RAMWA#
CAS[7:0]#/
DQM[7:0]#
RAS1#/CS0#
RAS0#/CS0#
MD[63:0]
BANK0
SCAS
SRAS
EDO/
SDRAM
DIMM
MA[13:2]
MA[1:0]
RAMWB#
CAS[7:0]#/
DQM[7:0]#
RAS1#/CS0#
RAS0#/CS0#
MD[63:0]
BANK1
SCAS
SRAS
EDO/FP
SIMM
MA[11:2]
MA[1:0]
RAMWA#
CAS[7:0]#
RAS1#
RAS0#
MD[63:0]
BANK0
EDO/FP
SIMM
MA[11:2]
MA[1:0]
RAMWB#
CAS[7:0]#
RAS1#
RAS0#
MD[63:0]
BANK2
Figure 5.2-3 Mixed DRAM Configuration
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SL15100ZC-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL15100ZI-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL18860DCT | 52 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO10 |
| SL28504RZC | OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO64 |
| SL28504RLCT | OTHER CLOCK GENERATOR, QCC64 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIS776DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIS776DN-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8 |
| SiS778DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS780DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiS780DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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