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参数资料
| 型号： | SIS600 |
| 厂商： | SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP |
| 元件分类： | 外设及接口 |
| 英文描述： | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PBGA487 |
| 封装： | BGA-487 |
| 文件页数： | 56/144页 |
| 文件大小： | 1592K |
| 代理商： | SIS600 |
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SiS600 Pentium II PCI /A.G.P. Chipset
Preliminary V1.0 Jan. 25, 1999
16
Silicon Integrated Systems Corporation
4.1.2. DRAM CONTROLLER
NAME
TYPE ATTR
DESCRIPTION
MD[63:0]
I/O
Memory Data Bus :
MD[63:0] contain 64-bit data between SiS600 and memory.
MA[13:0]
O
Memory Address Lines 14-2:
Memory address 14-2 are the row and column addresses for
DRAM.
CS[5:0]#/RAS[5:0]#
O
Chip Select (SDRAM)/ Row Address Strobe (EDO/FP):
Row Address Strobe (EDO/FP):
DRAM Row address strobe 5-0 for DRAM banks 2-0.
Chip Select (SDRAM) :
These pins activate the SDRAM and accept any command when
it is low.
DQM[7:0]#/
CAS[7:0]#
O
Pin Mask/Output Enable (SDRAM)/Column address strobe
(FPM/EDO) :
Column address strobe (FPM/EDO) :
DRAM Column address strobe 7-0 for byte 7-0.
Input / Output Data Mask (SDRAM) :
SDRAM output enables during a read cycle and a byte mask
during a write cycle.
WEA#
O
Memory Write A:
RAM Write is an active low output signal to enable local DRAM
writes.
Two copies are provided for loading purposes.
WEB#/MA14
O
Memory Write B / Memory Address line 14 :
RAM Write is an active low output signal to enable local DRAM
writes.
Two copies are provided for loading purposes.
This pin also can serve as MA14 signal by programming the
Register 52h bit4 to 1 to support the high density DRAM parts.
SRAS#
O
SDRAM Row Address Strobe :
It latches row address on the positive edge of the clock with
SRAS# low. These signals enable row access and precharge.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SL15100ZC-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL15100ZI-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL18860DCT | 52 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO10 |
| SL28504RZC | OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO64 |
| SL28504RLCT | OTHER CLOCK GENERATOR, QCC64 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIS776DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIS776DN-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8 |
| SiS778DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS780DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiS780DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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