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参数资料
| 型号： | SIS600 |
| 厂商： | SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP |
| 元件分类： | 外设及接口 |
| 英文描述： | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PBGA487 |
| 封装： | BGA-487 |
| 文件页数： | 103/144页 |
| 文件大小： | 1592K |
| 代理商： | SIS600 |
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SiS600 Pentium II PCI /A.G.P. Chipset
Preliminary V1.0 Jan. 25, 1999
58
Silicon Integrated Systems Corporation
7.3.
PCI IDE CONFIGURATION SPACE
REGISTER
ADDRESS
REGISTER NAME
DEFAULT
VALUE
ACCESS TYPE
01~00h
Vendor ID
1039h
RO
03~02h
Device ID
5513h
RO
05~04h
PCI Command Port
0000h
RO
R/W
07~06h
PCI Status Register
0000h
RO
08h
Revision ID
00h
RO
0B~09h
Class Code
000000h
RO
0Ch
Cache Line Size
00h
RO
0Dh
Master latency timer
00h
RO
0Eh
Header Type
01h
RO
0Fh
BIST
00h
RO
1F~10h
Primary & Secondary Channel Command
/Control Block Base Address Register
R/W
23~20h
Bus Master IDE Control Register Base
Address
R/W
2B~24h
Reserved
RO
2Ch
Subsystem ID
R/W
RO
2F~2Dh
Reserved
00h
R/W
RO
33~30h
Expansion ROM Base Address
47~40h
IDE
Primary
/Second
Channel,
Master/Slave Drive Timing Control
0000h
R/W
RO
48h
IDE Command Recovery Time Control
FFF0h
R/W
RO
49h
IDE Command Active Time Control
0000h
R/W
RO
4B~4Ah
IDE General Control Register 0 &1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SL15100ZC-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL15100ZI-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL18860DCT | 52 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO10 |
| SL28504RZC | OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO64 |
| SL28504RLCT | OTHER CLOCK GENERATOR, QCC64 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIS776DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIS776DN-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8 |
| SiS778DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS780DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiS780DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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