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参数资料
| 型号： | SIS600 |
| 厂商： | SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP |
| 元件分类： | 外设及接口 |
| 英文描述： | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PBGA487 |
| 封装： | BGA-487 |
| 文件页数： | 95/144页 |
| 文件大小： | 1592K |
| 代理商： | SIS600 |
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SiS600 Pentium II PCI /A.G.P. Chipset
Preliminary V1.0 Jan. 25, 1999
51
Silicon Integrated Systems Corporation
HA18#,
HA17#,
HA16#,
HA11#,
HA13#,
HA12#,
HA14#,
HA8#,
HA10#, HA7#, HA5#, HA3#, HA9#,
HA6#,
HA4#,
BNR#,
HREQO0#,
BPRI#,
HREQO1#,
HTRDY#,
HREQO4#,
DEFER#,
HLOCK#,
HREQO2#, DRDY#, HREQO3#, RS0#,
HITM#, HIT#, DBSY#, RS2#, RS1#,
ADS#, IRQ14, IRQ15, IDA7, IDA8,
IDA6, IDA9, IDA5, IDA10.
TESTIN4[1:70]
(NAND Tree 5)
IDA11, IDA3, IDA12, IDA2, IDA13,
IDA1, IDA14, IDA0, IDA15, IBDRQ,
IADRQ,
IAIOWC#,
IAIORC#,
IBIOWC#,
IBIORC#,
IBCHRDY,
IACHRDY, IADACK, IBIRQ, IAIRQ,
IADSA1, IADSA0, IADSA2, IACS0#,
IACS1#, MD31, MD63, MD30, MD62,
MD29, CKE5, CKE4, CKE3, MD61,
MD28, MD60, MD27, MD59, MD26,
MD58, MD25, MD57, MD24, MD56,
MD23, MD55, MD22, MD54, MD21,
MD53, MD20, MD52, MD19, MD51,
MD18, MD50, MD17, MD49, MD16,
MD48, MPD3, MPD7, MPD2, MPD6,
CKE0, DQM3, DQM7, DQM2, DQM6,
MA13.
GNT1#
TESTIN5[1:65]
(NAND Tree 6)
MA12, MA11, MA10, MA9, MA8,
MA7, MA6, MA5, MA4, MA3, MA2,
MA1, MA0, SRAS#, CS0#,
CS1#,
CS2#, CS3#, CS4#, CS5#, DQM1,
DQM5, DQM0, DQM4, RAMWB#,
RAMWA#, SCAS#, MPD1, MPD5,
MPD0, MPD4, MD15, MD47, MD14,
MD46, MD13, MD45, MD12, MD44,
MD11, MD43, MD10, MD42, MD9,
MD41, MD8, MD40, MD7, MD39,
MD6, MD38, MD5, MD37, MD4,
MD36, MD3, MD35, MD2, MD34,
MD1, MD33, MD0, CKE2, CKE1,
MD32.
GNT0#
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SL15100ZC-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL15100ZI-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL18860DCT | 52 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO10 |
| SL28504RZC | OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO64 |
| SL28504RLCT | OTHER CLOCK GENERATOR, QCC64 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIS776DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIS776DN-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8 |
| SiS778DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS780DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiS780DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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