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参数资料
| 型号： | SIS600 |
| 厂商： | SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP |
| 元件分类： | 外设及接口 |
| 英文描述： | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PBGA487 |
| 封装： | BGA-487 |
| 文件页数： | 57/144页 |
| 文件大小： | 1592K |
| 代理商： | SIS600 |
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SiS600 Pentium II PCI /A.G.P. Chipset
Preliminary V1.0 Jan. 25, 1999
ii
Silicon Integrated Systems Corporation
5.7.1.
Test Scheme ....................................................................................................................48
5.7.2.
Measurements ................................................................................................................48
6.
HARDWARE TRAP............................................................................................................................52
7.
CONFIGURATION REGISTER .....................................................................................................53
7.1.
DEVICE 0, FUNCTION 0 ( HOST-TO-PCI BRIDGE).................................................................53
7.1.1.
Configuration Space Header.......................................................................................53
7.1.2.
Registers for Host & DRAM ........................................................................................54
7.1.3.
Shadow RAM & PCI-Hole Area .................................................................................54
7.1.4.
33Mhz Host Bridge Prefetchable Address Base & Limit .......................................55
7.1.5.
Target Bridge to DRAM Characteristics ..................................................................55
7.1.6.
33Mhz Host Bridge & PCI Arbiter.............................................................................55
7.1.7.
DLL Control ...................................................................................................................55
7.1.8.
GART and Page Table Registers ................................................................................55
7.1.9.
A.G.P. and 66Mhz Host Bridge...................................................................................56
7.2.
DEVICE 2, FUNCTION 0 (VIRTUAL PCI-TO-PCI BRIDGE)....................................................56
7.3.
PCI IDE CONFIGURATION SPACE ............................................................................................58
7.3.1.
Offset Register For PCI Bus Master IDE Control Registers .................................59
8.
REGISTER DESCRIPTION.............................................................................................................60
8.1.
HOST BRIDGE REGISTERS (FUNCTION 0)................................................................................60
8.1.1.
Configuration Space Header.......................................................................................60
8.1.2.
Host Control Registers .................................................................................................65
8.1.3.
DRAM Control Registers .............................................................................................68
8.1.4.
Power Management ......................................................................................................81
8.1.5.
Shadow RAM Area ........................................................................................................84
8.1.6.
ECC Function Control Register .................................................................................86
8.1.7.
PCI Hole Area................................................................................................................88
8.1.8.
PCI33 Prefetchable Function .....................................................................................90
8.1.9.
Target Bridge Characteristics ....................................................................................91
8.1.10.
CPU/PCI Clocks DLL Control Registers ...............................................................96
8.1.11.
A.G.P. GART and Page Table Control Registers .................................................98
8.1.12.
A.G.P and 66MHz Host Bridge Control Registers .............................................100
8.2.
VIRTUAL PCI-TO-PCI BRIDGE REGISTERS (DEVICE 2)...................................................... 108
8.3.
PCI IDE CONFIGURATION SPACE REGISTER....................................................................... 117
8.3.1.
Offset Registers for PCI Bus Master IDE Control Registers...............................130
9.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ........................................................................................134
9.1.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS............................................................................................. 134
9.2.
DC CHARACTERISTICS............................................................................................................ 134
9.2.1.
DC Characteristics of Host, DRAM, PCI and IDE Interface ..............................134
9.2.2.
DC Characteristics of A.G.P. Interface...................................................................135
10.
MECHANICAL DIMENSION .......................................................................................................137
11.
COPYRIGHT NOTICE ....................................................................................................................140
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SL15100ZC-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL15100ZI-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL18860DCT | 52 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO10 |
| SL28504RZC | OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO64 |
| SL28504RLCT | OTHER CLOCK GENERATOR, QCC64 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIS776DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIS776DN-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8 |
| SiS778DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS780DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiS780DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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