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参数资料
| 型号： | SIS600 |
| 厂商： | SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP |
| 元件分类： | 外设及接口 |
| 英文描述： | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PBGA487 |
| 封装： | BGA-487 |
| 文件页数： | 114/144页 |
| 文件大小： | 1592K |
| 代理商： | SIS600 |
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SiS600 Pentium II PCI A.G.P. Chipset
Preliminary V1.0 Jan. 25, 1999
68
Silicon Integrated Systems Corporation
8.1.3.
DRAM CONTROL REGISTERS
Register 52h
DRAM MISC Control 1
default Value:
00h
Access:
Read/Write
The register defines timing for Refresh cycles.
BIT
ACCESS
DESCRIPTION
7
R/W
Test bit for DRAM Controller
0: Normal Mode
1: Test Mode
6:5
R/W
Reserved
4
R/W
Multi-function (Pin L1) for WEB#/MA14 Selection
0: WEB#
1: MA14
3
R/W
Reserved
2
R/W
SDRAM Refresh Command to Different ROW Control
When set to 0, refresh commands to different SDRAM rows initiated by SiS600
will be staggered one clock apart, such that the simultaneous-switching noise can
be reduced, i.e. CS[5:0]# will be asserted one after another. When set to 1, SiS600
will issue refresh commands to different SDRAM rows simultaneously.
0: Staggered one clock apart
1: Simultaneous
1
R/W
DRAM Refresh Test Mode
This bit is a test mode bit used for internal refresh circuit testing.
0: Normal Mode
1: Test Mode
0
R/W
CS# Behavior when SDRAM Refresh Cycles
This bit controls the behavior of CS# for SDRAM during refresh cycles. If there is
any SDRAM populated in the system, this bit should be programmed as 1.
0:Long pulse (CS# Behaves like RAS# during EDO/FP mode refresh cycles)
1:1T command pulse
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SL15100ZC-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL15100ZI-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL18860DCT | 52 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO10 |
| SL28504RZC | OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO64 |
| SL28504RLCT | OTHER CLOCK GENERATOR, QCC64 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIS776DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIS776DN-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8 |
| SiS778DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS780DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiS780DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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