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参数资料
| 型号： | SIS600 |
| 厂商： | SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP |
| 元件分类： | 外设及接口 |
| 英文描述： | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PBGA487 |
| 封装： | BGA-487 |
| 文件页数： | 75/144页 |
| 文件大小： | 1592K |
| 代理商： | SIS600 |
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SiS600 Pentium II PCI /A.G.P. Chipset
Preliminary V1.0 Jan. 25, 1999
33
Silicon Integrated Systems Corporation
START
N=0
BANK[N].mode
= FP
DRAM
exist?
BANK[N].mode
= EDO
DRAM
exist?
BANK[N].mode
= EDO
BANK[N].mode
= FP
BANK[N].mode
= SDRAM
Initialize SDRAM
DRAM
exist?
BANK[N].mode
= SDRAM
BANK[N] no DRAM
Decide
BANK[N].type
N = N + 1
N < 3
DONE
Y
N
Y
N
Y
Figure 5.2-4 DRAM Detection Sequence
5.2.4.
ARBITER
The arbiter is the interface between the DRAM controller and the host interface which can access DRAMs. In
addition to passing or translating the information from outside to DRAM controller, arbiter is also responsible for
which master has higher priority to access DRAMs. The arbiter treats different DRAM access request as DRAM
master, and that makes there be 6 masters which are trying to access DRAMs by sending their request to the
arbiter. After one of them gets the grant from the arbiter, it owns DRAM bus and begins to do memory data
transaction. The masters are: Refresh high request, AGP high access request, CPU read request, CPU write
request, AGP low access request, Refresh low request. The order of these masters shown above also stands for
their priority to access memory.
5.2.5.
REFRESH CYCLE
The refresh cycle will occur every 15.6us. It is timed by a counter of 14Mhz input. The CAS[7:0]# will be
asserted at the same time, and the RAS[5:0]# are asserted sequentially.
5.2.6. GRAPHIC WINDOW RE-MAPPING
For supporting the A.G.P. bus, SiS600 supports an address range, Graphic Window (GW), which is
virtual, contiguous, programmable range and can be re-mapped by Graphic Address Re-mapping
Table (GART) to non-contiguous pages of the system memory. Graphic Window is defined by
Graphic Window Base Address (GWBA) configuration register. The size of Graphic Window is
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PDF描述 |
|---|---|
| SL15100ZC-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL15100ZI-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL18860DCT | 52 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO10 |
| SL28504RZC | OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO64 |
| SL28504RLCT | OTHER CLOCK GENERATOR, QCC64 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIS776DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIS776DN-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8 |
| SiS778DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS780DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiS780DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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