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参数资料
| 型号： | SIS600 |
| 厂商： | SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP |
| 元件分类： | 外设及接口 |
| 英文描述： | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PBGA487 |
| 封装： | BGA-487 |
| 文件页数： | 111/144页 |
| 文件大小： | 1592K |
| 代理商： | SIS600 |
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SiS600 Pentium II PCI /A.G.P. Chipset
Preliminary V1.0 Jan. 25, 1999
66
Silicon Integrated Systems Corporation
0
R/W
PCI 33/PCI 66 Masters Concurrently Access Memory Function
When enabled, PCI33 and PCI66 masters requesting for memory access cycles will
be granted simultaneously, such that their memory access cycle can be optimized.
When disabled, only one of PCI33 and PCI66 masters can be granted. In case their
requests are asserted at the same time, PCI66 masters have higher priority than
PCI33.
0: Disabled
1: Enabled
Register 51h
Host Bus Interface control II
default Value:
02h
Access:
Read/Write
BIT
ACCESS
DESCRIPTION
5
R/W
Support Asynchronous Clock Mode between Host and PCI clock
0: Disable
1: Enable
4
R/W
Reserved
3
R/W
Host to PCI33/66 concurrency Control
0: Enable
1: Disable
2
R/W
Host-to-SDRAM Pipelined Read Timing Control
When set to 1, there will be no wait state between SDRAM back-to-back read
cycles; when set to 0, there will be one wait state inserted in between.
0: x-1-1-1-2-1-1-1.....
1: x-1-1-1-1-1-1-1.....
1
R/W
Host-to-PCI Cycle Timing Control
When set to 1, the Host-to-PCI bridge will start the translation of Host-to-PCI
cycle once the cycle appears on the host bus. When set to 0, the start of the Host-
to-PCI translation will be delayed by one CPU clock.
0: Delay 1 CPU clock
1: Without Delay
7:6
R/W
Reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SL15100ZC-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL15100ZI-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL18860DCT | 52 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO10 |
| SL28504RZC | OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO64 |
| SL28504RLCT | OTHER CLOCK GENERATOR, QCC64 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIS776DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIS776DN-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8 |
| SiS778DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS780DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiS780DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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