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参数资料
| 型号： | SIS600 |
| 厂商： | SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP |
| 元件分类： | 外设及接口 |
| 英文描述： | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PBGA487 |
| 封装： | BGA-487 |
| 文件页数： | 52/144页 |
| 文件大小： | 1592K |
| 代理商： | SIS600 |
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SiS600 Pentium II PCI /A.G.P. Chipset
Preliminary V1.0 Jan. 25, 1999
12
Silicon Integrated Systems Corporation
SIGNAL
NAME
SiS600
BALL NO.
MD60
AD1
MD61
AD3
MD62
AF4
MD63
AB6
MPD0
K1
MPD1
L4
MPD2
V2
MPD3
V4
MPD4
K2
MPD5
L5
MPD6
V1
MPD7
V3
PAR
C24
PCICLK
H26
PCIRST#
C18
PGNT0#
K24
PGNT1#
K23
PGNT2#
K22
PGNT3#
J26
PHLDA#
K26
PHOLD#
L23
PIPE#
B17
PLOCK#
C26
PREQ0#
J25
PREQ1#
J24
PREQ2#
J23
PREQ3#
J22
RBF#
A17
SIGNAL
NAME
SiS600
BALL NO.
RS0#
AF14
RS1#
AB13
RS2#
AC13
RSTIN
B18
SB_STB
B15
SBA0
B16
SBA1
A16
SBA2
D15
SBA3
E15
SBA4
C15
SBA5
A15
SBA6
E14
SBA7
D14
SCAS#
L3
SERR#
C25
SRAS#
P1
ST0
E16
ST1
D16
ST2
C16
STOP#
E22
TEST_PIN#
E17
TRDY#
D25
VCC
J10
VCC
J11
VCC
J12
VCC
J13
VCC
J14
VCC
J15
SIGNAL
NAME
SiS600
BALL NO.
VCC
J16
VCC
J17
VCC
J18
VCC
V9
VCC
V10
VCC
V11
VCC
V12
VCC
V13
VCC
V14
VCC
V15
VCC
V16
VCC
V17
VCC
V18
VCC
K9
VCC
K18
VCC
L9
VCC
L18
VCC
M9
VCC
M18
VCC
M18
VCC
N9
VCC
N18
VCC
P9
VCC
P18
VCC
R9
VCC
R18
VCC
T9
VCC
T18
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SL15100ZC-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL15100ZI-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL18860DCT | 52 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO10 |
| SL28504RZC | OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO64 |
| SL28504RLCT | OTHER CLOCK GENERATOR, QCC64 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIS776DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIS776DN-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8 |
| SiS778DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS780DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiS780DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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