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参数资料
| 型号： | SIS600 |
| 厂商： | SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP |
| 元件分类： | 外设及接口 |
| 英文描述： | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PBGA487 |
| 封装： | BGA-487 |
| 文件页数： | 54/144页 |
| 文件大小： | 1592K |
| 代理商： | SIS600 |
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SiS600 Pentium II PCI /A.G.P. Chipset
Preliminary V1.0 Jan. 25, 1999
14
Silicon Integrated Systems Corporation
4.
PIN ASSIGNMENT
4.1.
SiS600 PIN DESCRIPTION
4.1.1. HOST BUS INTERFACE
NAME
TYPE ATTR
DESCRIPTION
HCLK
I
Host Clock :
Primary clock input drives the part.
ADS#
I/O
GTL+
Address Status :
Address Status is driven by the CPU to indicate the start of a
CPU bus cycle.
HREQ[4:0]#
I/O
GTL+
Request Command:
HREQ[4:0]# are used to define each transaction type during the
clock when ADS# is asserted and the clock after ADS# is
asserted.
BREQ0#
O
GTL+
Symmetric Agent Bus Request:
BREQ0# is driven by the symmetric agent that wants to request
the bus.
BNR#
I/O
GTL+
Block Next Request:
When system is busy, the bus agent can block further transaction
by asserting BNR#.
HLOCK#
I
GTL+
Host Lock :
When CPU asserts HLOCK# to indicate the current bus cycle is
locked.
HIT#
I/O
GTL+
Keeping a Non-Modified Cache Line:
HITM#
I/O
GTL+
Hits a Modified Cache Line:
Hit Modified indicates the snoop cycle hits a modified line in the
L1 cache of CPU.
DEFER#
O
GTL+
Defer Transaction Completion:
SiS600 will use this signal to indicate a retry response to the host
bus.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SL15100ZC-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL15100ZI-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
| SL18860DCT | 52 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO10 |
| SL28504RZC | OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO64 |
| SL28504RLCT | OTHER CLOCK GENERATOR, QCC64 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SIS776DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIS776DN-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8 |
| SiS778DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SIS780DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiS780DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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