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参数资料
| 型号： | SIS600 |
| 厂商： | SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP |
| 元件分类： | 外设及接口 |
| 英文描述： | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PBGA487 |
| 封装： | BGA-487 |
| 文件页数： | 69/144页 |
| 文件大小： | 1592K |
| 代理商： | SIS600 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页当前第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页
SiS600 Pentium II PCI /A.G.P. Chipset
Preliminary V1.0 Jan. 25, 1999
27
Silicon Integrated Systems Corporation
Note:
1. SiS600 only supports six rows (3 banks) DRAM.
2. It is recommended that board designer must follow DC characteristics of each type DRAM (SDRAM, EDO,
FPM) to design the portion of DRAM in DRAM mode mixed configuration.
5.2.2.
DRAM SCRAMBLE TABLE
The DRAM scramble table contains information for memory address mapping. These tables provide the
translation between CPU host address and memory Row and Column address.
There are several memory address mappings: MA mapping for FPM/EDO DRAM, 2Bank and 4Bank mapping
for SDRAM that SiS600 supports:
5.2.2.1. MA MAPPING TABLE FOR FPM/EDO DRAM
a. Symmetric:
Type
256K (9x9)
1M (10x10)
4M (11x11)
16M (12x12)
Address
Row
Column
Row
Column
Row
Column
Row
Column
MA0
15
3
15
3
15
3
15
3
MA1
16
4
16
4
16
4
16
4
MA2
17
5
17
5
17
5
17
5
MA3
18
6
18
6
18
6
18
6
MA4
19
7
19
7
19
7
19
7
MA5
20
8
20
8
20
8
20
8
MA6
12
9
21
9
21
9
21
9
MA7
13
10
22
10
22
10
22
10
MA8
14
11
14
11
23
11
23
11
MA9
NA
13
12
24
12
24
12
MA10
NA
14
13
25
13
MA11
NA
26
14
b. Asymmetric:
Type
512K (10x9)
1M (11x9)
2M (11x10)
Address
Row
Column
Row
Column
Row
Column
MA0
15
3
15
3
15
3
MA1
16
4
16
4
16
4
MA2
17
5
17
5
17
5
MA3
18
6
18
6
18
6
MA4
19
7
19
7
19
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SL15100ZC-XXX | 200 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO8 |
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| SL18860DCT | 52 MHz, OTHER CLOCK GENERATOR, PDSO10 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| SIS780DN | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiS780DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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